【区角快讯】美国存储芯片巨头美光科技已确认，其位于纽约州奥农达加县克莱镇的巨型晶圆厂项目将于2026年1月16日下午正式破土动工。该项目规划总投资额高达1000亿美元，将成为纽约州有史以来规模最大的单笔私人投资。
在完成长达上万页的环境评估审查及全部必要行政许可后，美光目前已完成前期场地准备工作，即将进入实质性施工阶段。整个制造基地将分阶段建设四座先进工厂，目标是打造全球领先的DRAM内存生产基地，以应对人工智能、高性能计算等领域对高端存储芯片持续攀升的需求。
该计划最初于2022年10月对外公布，原定2024年年中启动建设，但因环境审批流程复杂而推迟约18个月。根据最新施工安排，美光将在2026年3月31日前清除场地内所有树木，并随后推进铁路支线铺设与湿地平整等基础设施工程。
投产节奏方面，首座晶圆厂预计于2030年投入运营，第二座工厂计划三年后启用。待2045年第四座工厂全面建成后，整个园区预计将提供约9000个就业岗位。美光曾表示，此举是其实现“十年内将美国本土尖端DRAM产量提升至全球40%”战略的关键一环。
市场数据显示，在2025年第三季度全球高带宽内存（HBM）市场中，美光以21%的营收份额排名第三，落后于SK海力士（57%）和三星电子（22%）。而在整体DRAM市场，三家企业份额分别为SK海力士34%、三星33%、美光26%。若美光能如期达成40%的全球DRAM产能目标，有望登顶全球最大存储芯片制造商。
在全球AI算力竞赛加速存储技术迭代的背景下，美光此次重资产投入不仅关乎产能扩张，更是一场争夺下一代半导体话语权的战略布局。
