美国存储器大厂美光科技（Micron Technology）1月27日宣布，未来十年，将在新加坡既有的NAND Flash记忆芯片厂区，合计投资约240亿美元（1669.824亿元人民币）开拓新的产能。 预定新增的产能可在2028年下半年开始产出。
美光宣布，在新加坡既有的NAND园区，一座新的先进晶圆制造设施已在今天动土兴建。 这项十年耗资240亿美元的计划最终将提供70万平方英尺的无尘室空间，预期2028年下半年开始投产晶圆。 美光说，这项新投资将创造约1,600个工作机会。
美光在新加坡进行存储器产能新投资，旨在因应全球目前存储器严重短缺的情况。 此时消费电子产品、人工智能（AI）服务供应商等各产业，都在努力试图解决各类内存供应超级吃紧的问题。
美光在新加坡本就拥有规模庞大的生产设施，公司98%的NAND Flash内存是在新加坡厂制造。 另外美光也正在新加坡建造耗资70亿美元的先进封装厂，用于生产高带宽记忆体（HBM），这座厂预定2027年投产。
美光的主要对手，韩国的三星电子、SK海力士，也都已经宣布成立的生产线，且将投产时程提前。 例如，SK海力士上月就对路透说，公司加速提前三个月开新厂，另有一座新厂下个月就可开始营运。
尽管全球这三大内存生产厂都大举提升产能，分析师表示，内存供应短缺现象恐将维持到2027年年末。
为了缓解供应吃紧局面，美国近期已在美国纽约州动土兴建厂房，预计投入1,000亿美元建置4座晶圆厂。 美光17日宣布以现金18亿美元，买下力积电苗栗铜锣的晶圆厂，为的是提高DRAM产能。
