综合外媒报道，根据美光最新公开文件，美光位于纽约克雷（Clay）附近的晶圆厂建设再次延后，预计2033年底才上线。
根据该文件，美光原计划2026年底开始兴建第一座晶圆厂（Fab 1），并于2028年中启用，现在预计2030年底开始运营；第二座晶圆厂（Fab 2）原计划于2028年下半年启动，完工时间已经从2030年延至2033年底；其余两座厂（Fab 3与Fab 4）原本预期分别于2035年与2041年启用。不过，施工时程也将拉长，第一座晶圆厂的建设期将从三年延长至四年。
报道指出，整个纽约克雷园区将于2045年全面建成，并达到满产，比原计划晚五年。虽然美光没有具体分享延后原因，但可能跟美国商务部签署61亿美元融资协议中的要求出现变化有关。
同时，在延后纽约厂建设的同时，美光正加快爱达荷厂的建设进度，并将芯片法案（The CHIPS Act）资金重新分配至爱达荷州的工厂。换言之，两座爱达荷晶圆厂（一座现有、一座规划中）将优先于克雷厂完工，显示项目优先级出现了策略性调整。
据报道，作为调整的一部分，美光将约12亿美元联邦补助金从纽约转至爱达荷州，使克雷园区获得的资金从46亿美元降至34亿美元。美光表示，此更新符合联邦协议下项目的需求演变。
若调整属实，预期应不影响美光最终在美国生产40% DRAM目标，因为公司采取逐一项目优先策略。同时，优先建设爱达荷厂将有利于提高美光在美国的HBM产能，并将在爱达荷建立高阶封装工厂，以生产需要高阶封装的存储器产品。（文章来源：科技新报）
