美光科技宣布，其第六代高带宽内存（HBM4）已开始出货，直接驳斥了近期关于其“退出”英伟达供应链的传闻。
英伟达下一代人工智能加速器Vera Rubin计划于今年下半年发布，其HBM4芯片的供应竞争异常激烈。美光否认了市场此前关于三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应的预期。
美光首席财务官马克·墨菲（Mark Murphy）于当地时间11日在美国研究公司Wolf Research主办的半导体会议上表示：“我们已经开始量产HBM4，并已开始向客户出货。”
针对近期关于“退出HBM4”的传闻，墨菲表示：“我们将纠正不实报道。”他补充道：“今年第一季度HBM4的出货量正在稳步增长。”他表示：“这比去年12月财报发布时提到的时间表提前了一个季度。”
他重申：“HBM产能正在稳步扩张，正如我们几个月前宣布的那样，2026年的所有HBM订单已经全部售罄。”
他继续说道：“HBM4的良率符合预期。”他补充道：“我们对产品的性能、质量和可靠性非常有信心，其传输速度将超过11 Gb/s。”
三星电子基于其10纳米级第六代（1c）DRAM开发了HBM4，而美光则采用了与SK海力士相同的10纳米级第五代（1b）DRAM。
作为HBM4核心的基片旨在降低成本。这与三星电子和SK海力士的做法不同，后者选择了更精细的代工工艺。尽管如此，该公司声称已实现了稳定的良率和性能。
美光的HBM4因未能满足英伟达对超过11Gbps速度的需求而受到批评，使其在与三星电子和SK海力士的供应竞争中落后。
此前，半导体分析公司Semianalysis下调了美光的评级。有消息称，英伟达供应链中HBM4的份额将降至0%，并表示“没有迹象表明英伟达会订购美光的HBM4”。他们还预测，SK海力士和三星电子将分别占据英伟达维拉·鲁宾（Vera Rubin）供应链的70%和30%。
然而，美光首席财务官发表声明，正式驳斥了这些负面的市场评估，并表达了强烈的信心。
首席财务官墨菲表示：“我们对HBM的性能非常满意。我们正与客户紧密合作，HBM的代际更替也很快。”
他还重申了之前的观点，即HBM的市场份额将与DRAM类似。根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，到2025年第三季度，SK海力士将占据57%的HBM市场份额，三星电子占22%，美光占21%。
韩美半导体董事长郭东信前一天（11日）的讲话间接证实了美光的信心。韩美半导体为美光提供用于HBM制造的热压（TC）键合设备。
在首尔江南区首尔帕纳斯洲际酒店举行的“2026韩国半导体展”同期领导人晚宴上，美光科技董事长郭东信告诉记者：“我认为美光会表现出色。目前，我们收到了大量TC键合机的订单。”
在郭东信董事长发表上述言论后，美光也正式否认了“HBM4退出”的传闻，这表明此前被视为三星电子和SK海力士两强争霸的英伟达供应链竞争，将再次演变为三方混战。
美光最大的弱点是产能，但该公司已通过“工厂收购”积极扩张产能，包括近期以2.6万亿韩元收购台湾代工厂PSMC。目前在爱达荷州和纽约州建设的工厂分别计划于2027年中期和2030年投产。
首席财务官墨菲美光表示：“我们计划在第二季度完成对PSCM工厂的收购。”该公司宣布，该工厂将用于DRAM生产，并将于2027年底或2028年开始供货。
这也被解读为美光对HBM业务充满信心的表现。IBK投资证券研究员金云浩评论道：“美光积极扩大供应是应对已获保障的需求的最佳策略。”
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