美光HBM 4，进展神速

美光科技第六代高带宽内存（HBM4）产能提升进展顺利。该公司还计划明年开始量产下一代HBM4E标准产品。

美光科技全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚 (Manish Bhatia) 在 5 月 20 日举行的摩根大通投资者大会上表示，美光 HBM4 的产能爬坡速度大约是去年 12 层 HBM3E 产品爬坡速度的两倍，良率提升也更快。该产品专为英伟达 Vera Rubin AI 计算平台设计。

美光公司列举了加速HBM4产能爬坡的三大原因。首先是上一代HBM3和12层HBM3E产品量产积累的运营经验和学习成果。其次是HBM4核心芯片采用了美光10纳米级第五代1β工艺。1β工艺目前是美光的主要生产工艺，其性能和良率均已得到验证。第三是美光自主优化的基础芯片。该公司表示，将1β工艺DRAM与自主研发的基础芯片相结合，最大限度地提高了产品质量和性能。

然而，美光计划从下一代HBM4E开始改变其战略。核心芯片将采用该公司10nm级第六代1-gamma (1γ)工艺制造。1γ工艺节点与三星电子和SK海力士的第六代10nm级1c工艺节点相对应。这也是美光首个采用ASML极紫外(EUV)光刻设备的工艺节点。对于基础芯片，美光将不再自行生产，而是委托代工厂合作伙伴台积电(TSMC)代工。

巴蒂亚表示，HBM4E的研发进展顺利，公司预计明年开始量产。他指出，首款量产产品将符合JEDEC标准，同时美光也在准备根据客户需求定制的产品。尽管此类产品的成本将高于标准版本，但由于性能提升和功能增强，公司预计市场需求将十分强劲。

三星电子和SK海力士也在利用各自的1c工艺开发HBM4E。三星计划在今年第二季度交付首批HBM4E样品。其芯片将由三星晶圆代工，采用与HBM4相同的4nm工艺制造。SK海力士的目标是在今年下半年向客户提供HBM4E样品，并于明年开始量产。据报道，SK海力士将继续委托台积电生产芯片，采用3nm工艺。

美光预计，到2026年中期，采用1γ工艺节点生产的DRAM和第九代NAND闪存产品将占其总出货量的一半以上。特别是，1γ DRAM有望成为美光晶圆总产量最大的单一DRAM工艺节点。