三星、SK海力士、美光一起被告!操控内存价格、制造缺货恐慌

旺材芯片 2026-06-30 15:50







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6月30日消息,三星、SK海力士、美光正在美国面临一起新的集体诉讼,原因是被指联合操控DRAM内存价格、限制供货造成市场紧缺恐慌。

本案起诉状,由拟成立集体诉讼的一众个人消费者与企业用户群体共同提交。

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诉状指控,三家企业协同削减DRAM内存产能,将生产重心转向HBM高带宽内存,造成DDR3、DDR4内存供货紧缺,推高了消费者和企业采购价格。

诉状原文写道:“DRAM行业寡头同步削减产能、协同转产HBM、逐步退出DDR3与DDR4产品线,通过各类手段收紧、锁定传统DRAM供货,内存价格随之暴涨,涨幅惊人、涨势迅猛。”

诉状还指出,三星、SK海力士、美光把持着全球绝大部分DRAM市场份额,造成其他新晋和小规模厂商难以快速扩产,因为内存晶圆厂的造价动辄数百亿美元,建设周期长达数年。

诉状称,在充分竞争的市场中,当价格上涨时,至少应该有一家厂商主动扩产,但三家企业就像商量好了一样,均未采取此类行动。

事实上,这不是存储三巨头第一次被提起集体诉讼。

早在2005年的美国司法部反垄断调查中,三星、SK海力士就曾当庭认罪,而美光因为积极配合调查,免于被罚。

因此,这次的新诉讼主张,当前DRAM市场乱象,正是这种垄断行为的新一轮循环。

不过目前相关主张都是单方面指控,还需要向法庭举证并核实。



来源:快科技

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