美光启动堆叠式GDDR研发，2027年或迎原型产品

据外媒报道，美光科技首次尝试研发采用堆叠式图形内存（GDDR）技术，计划2026年下半年启动工艺测试，早期采用四层堆叠结构，原型产品有望2027年问世。

作为全球存储巨头，美光此次布局堆叠式GDDR，旨在填补传统GDDR与高带宽内存（HBM）之间的市场空白。传统GDDR凭借成本优势广泛应用于游戏显卡、AI推理场景，但带宽与容量有限；而HBM虽性能顶尖，却因成本高昂难以普及。

虽然堆叠GDDR在性能上落后于HBM，但其主要优势在于成本效益和更简洁的封装。由于需要数百个硅孔（TSV）和如CoWoS等复杂中介层封装技术，HBM面临严重的供应限制。相比之下，堆叠GDDR可以依赖更简单的封装工艺，在成本降低和供应可扩展性方面具有优势。

目前，美光正筹备生产设备，预计2026年下半年完成部署并进入工艺验证阶段。初期方案为四层GDDR芯片垂直堆叠，技术规格仍在优化，若进展顺利，首批原型产品将于2027年推出。业内分析，该技术将推动GDDR从平面布局向立体架构升级，缓解AI时代内存供需矛盾，重塑中高端显存市场格局。

此次研发是美光继HBM4量产之后，在存储技术领域的又一关键布局。随着AI推理需求激增，堆叠式GDDR凭借“高容量+低成本”特性，有望成为内存市场新增长点，也将加剧与三星等存储厂商的技术竞争。