三星电子有望主导下一代高带宽内存（HBM）市场。
三星电子于2月12日宣布已实现HBM4的量产。就量产速度而言，三星电子是三大内存半导体公司（三星电子、SK海力士和美光）中起步最快的。SK海力士于去年9月建立了全球首个HBM4量产系统，但其量产时间尚未最终确定。
与竞争对手尝试基于第五代（1b）DRAM量产HBM4不同，三星电子选择跳过1b，直接采用1c DRAM来生产HBM4。 10nm级DRAM工艺技术的发展顺序如下：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）和1b（第五代）。第六代1c工艺的线宽更窄，加工难度更大，但容量和性能提升也相对更高。
三星电子存储器开发副总裁黄相俊表示：“三星电子的HBM4打破了使用成熟工艺的传统，采用了1c DRAM等尖端工艺。通过工艺竞争力和设计改进，我们确保了足够的性能扩展空间，从而能够及时满足客户的性能需求。”
三星电子宣布，其HBM4的运行速度为11.7 Gbps，超过了国际电工委员会（JEDEC）制定的8 Gbps标准。它比其前代产品 HBM3E（9.6 Gbps）的最大引脚速度快约 1.2 倍。
三星电子补充道：“凭借 13 Gbps 的最大速度，我们预计它将有效解决随着 AI 模型规模扩大而日益严重的数据瓶颈问题。”
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