【区角快讯】当前印度正加速推进其在智能手机、电动汽车及半导体等关键科技领域的产业布局，力图缩小与中国在高端制造方面的差距。作为其“全球半导体中心”战略的重要一步，该国近日高调宣布一项技术进展：由高通技术公司主导的2纳米芯片设计已成功完成流片。
此次流片标志着印度在先进制程芯片设计环节取得实质性突破。高通方面强调，这一成果不仅展现了其全球工程体系的协同能力，更凸显了其设在班加罗尔、钦奈与海得拉巴三大研发中心之间的紧密协作。上述基地现已成为高通在美国境外规模最庞大、技术层级最高的工程团队之一。
高通工程高级副总裁沙希雷迪明确指出：“我们在印度的研发中心，在系统设计的多个维度——涵盖架构定义、具体实现、软件平台开发到终端用例优化——均作出了关键性贡献。”此番表态印证了印度团队已超越传统辅助角色，深入参与核心设计流程。
印度铁道部、信息与广播部及电子与信息技术部部长对此表示，伴随本土设计生态系统的持续完善以及产业界的深度投入，“印度半导体使命”正稳步向前推进。他进一步强调，对前沿工程与研发能力的战略性投资，是构建长期自主半导体产能的基石。
尽管印度国内对此成就反响热烈，但业内普遍认为，该国在芯片制造、设备、材料等全产业链环节仍存在显著短板。仅凭参与国际巨头的设计项目，并不足以支撑其成为真正意义上的全球芯片强国，前路依然漫长。
在全球先进制程竞赛日益激烈的背景下，设计能力的提升虽值得肯定，但能否实现从“参与设计”到“自主制造”的跨越，才是衡量一国半导体实力的关键标尺。
