全球半导体设备巨头阿斯麦（ASML）近日在圣何塞举行的技术会议上宣布，其研发的新一代高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）现已具备大批量生产能力。这一进展标志着半导体行业在攻克2纳米及更先进制程芯片的道路上取得了核心突破。
据路透社报道，ASML高级副总裁兼首席技术官Marco Pieters在会上披露了关键性能指标。数据显示，这款型号为EXE:5200B的High-NA EUV设备已累计处理了超过50万片硅片。
Pieters指出，设备在测试运行中的稳定性表现超乎预期。目前，该机型的稼动率（Uptime，即正常运行时间比例）已达到80%。ASML官方设定的目标是：到2026年底，将这一数字进一步提升至90%，以完全满足全球顶级代工厂对全天候生产的高标准要求。
长期以来，2纳米以下芯片制造面临极大的工艺复杂度挑战。High-NA EUV技术的核心在于将数值孔径（NA）从0.33提升至0.55。
路透社在报道中援引ASML专家的分析称，该机器展现出的成像精度，已经足以说服主要客户减少昂贵且繁琐的“多重曝光”步骤。通过“单次曝光”即可完成原本需要多道工序才能打印出的微细电路，这不仅能显著提高生产良率，还能在长线生产中缩减成本。
