据报道，挪威初创企业Lace Lithography 获得微软支持，完成4000万美元A轮融资，用于研发一款芯片制造设备，该设备不使用光线，而是采用氦原子束在硅片上进行图形加工。Lace声称其技术可制造出比当前光刻系统小 10倍的芯片结构：光束宽度仅0.1 纳米，而 ASML 的 EUV 光刻机所用波长为 13.5 纳米。Lace 目标是在2029 年前在试点晶圆厂投入测试设备。
Lace 系统的优势在于原子不存在衍射极限，而包括 ASML 的 EUV 在内，基于光子的光刻技术都会受所用光波长的限制。随着芯片厂商不断缩小结构尺寸，只能依靠愈发复杂的多重曝光技术绕过这一限制，但 Lace 用中性氦原子替代光子，光束宽度约等于单个氢原子，从根本上避开了该问题。
Imec 光刻科学总监 John Petersen 表示，这一技术路线可将晶体管及其他结构尺寸再缩小一个数量级，达到 “几乎难以想象” 的水平。Lace 首席执行官兼联合创始人 Bodil Holst 称，该技术可让芯片厂商实现 “终极原子级分辨率” 的晶圆加工。
Lace 将其系统称为BEUV，即 “超越 EUV”。该公司由卑尔根大学物理学家 Holst 与联合创始人 Adrià Salvador Palau 于 2023 年创立，目前在挪威、西班牙、英国和荷兰拥有50 多名员工，并于上月在 SPIE 2026 先进光刻与图形化会议上公布了相关研究成果。
如今，越来越多初创企业正在研发可替代 ASML 近乎垄断地位的先进光刻技术，Lace 便是其中一员。美国的 Substrate 与 xLight 均在开发基于粒子加速器的光源，用于 EUV 或 X 射线光刻，其中 xLight 获得美国政府1.5 亿美元资助。佳能已于 2024 年 9 月向德州电子研究院交付首台纳米压印光刻设备。
但 Lace 的技术路线与上述企业均不相同：Substrate 和 xLight 仍依赖光子，而 Lace完全放弃电磁辐射，这也意味着其技术目前没有可直接对接的工艺流程生态。
尽管 Lace 已造出原型系统，实验室到量产之间的差距依然巨大。公司目前计划2029 年在试点产线部署测试设备，而真正进入大规模量产仍需漫长时间。ASML 耗费数十年、数十亿美元才将 EUV 从研究概念变为商用产品，即便资金充裕的新入局者，要实现商业化仍前路漫长。
