IPAC碳化硅直播季丨CoolSiC™ MOSFET并联技术和驱动设计深度指南 - 科技区角 IPAC碳化硅直播季丨CoolSiC™ MOSFET并联技术和驱动设计深度指南

今年IPAC碳化硅直播季，英飞凌“攻城狮”强势集结，从器件性能、系统应用价值、设计要点层层递进、抽丝剥茧，帮您快速掌握从器件选择到系统优化的完整知识链条，轻松应对设计中的关键难点，迈向更高效的系统解决方案。

IPAC碳化硅直播季第三期即将登陆直播间！

直播时间：

7月22日14:00

直播主题：

CoolSiC™ MOSFET并联技术和驱动设计深度指南

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直播要点：

封装之道，尽显极致

CoolSiC™ MOSFET封装特点与热测试分享

并联之术，性能无界

CoolSiC™ MOSFET 并联技术深度解析

设计之路，效率为先

发挥CoolSiC™ 1200V G2 MOSFET性能优势的设计要点

驱动之力，高效可靠

英飞凌EiceDRIVER™高效驱动CoolSiC™ MOSFET，助力性能提升

主持人：

波老师

IPAC常驻主持人波老师

以犀利问题直击行业核心

当之无愧的现场“嘴替”典范

直播嘉宾：

沈嵩

功率半导体圈摸爬滚打数十载

在应用技术支持上“身经百战”的技术大拿

周明

技术担当

江湖尊称“明哥”

流传着他的传说

郑姿清

拥有超过10年相关经验

擅长各种驱动技术难题

赵佳

拥有近20年功率半导体行业深耕经验

对碳化硅技术体系了如指掌的小赵老师

往期回顾

第一期（5月20日 14:00 已完结）

沟槽栅VS平面栅，谁才是功率器件可靠性战场上的终极王者？

第二期（6月26日 14:00 已完结）

光伏、储能、数据中心，如何运用CoolSiC™技术精准卡位，领跑行业未来？

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