我国成功研制出三维多层片上电容

据媒体报道，湖北江城实验室近期在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米 1000 纳法。

据介绍，该电容可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片，支撑高算力、低功耗芯片研发。

据悉，这款片上电容可以直接做在芯片内部或紧邻的硅基板内，越靠近核心，越适合 AI 芯片纳秒级大电流瞬态响应，目标客户涵盖国内的 CPU、GPU、手机处理器等芯片厂商。

目前，相关技术正在开展工艺流片及小批量试产，将在先进封装领域实现规模化应用。

全球前十大晶圆代工厂Q1最新排名：台积电以72.3%市场份额稳居第一

TrendForce最新统计指出，2026年第一季度，全球前十大晶圆代工厂合计实现营收479.5亿美元，环比提升3.7%.

其中，台积电以358.6亿美元的营收规模继续领跑，季度环比增幅达6.3%，市场占有率进一步攀升至72.3%。

三星受移动终端生产淡季拖累，营收环比缩减5.8%，录得32亿美元，市场份额收窄至6.3%。中芯国际实现营收25亿美元，环比微增0.6%，市占率稳定在5.2%。

联华电子与格罗方德则双双承压，前者营收环比下滑3.2%至19.3亿美元，市占率降至3.9%；后者环比降幅达11%，营收为16.3亿美元，市占率下探至3.3%。

第六至第十名的排序出现微调。华虹、高塔半导体、合肥晶合、世界先进及力积电占据上述席位，其中合肥晶合与世界先进互换排位。

欧盟提出《芯片法案2.0》

欧盟委员会提出修订版半导体立法，旨在强化欧洲芯片产业，降低战略依赖，并支持欧盟内部先进制程与主流半导体产能建设。

新的《芯片法案 2.0》提案建立在原版《欧洲芯片法案》基础之上。欧盟委员会表示，原法案已经帮助撬动超过 520 亿欧元的公共和私人投资，并创造了约 4.6 万个直接和间接就业岗位。后续版本并不是一部完全推倒重来的新法律，更像是一次方向修正：欧洲在先进芯片制造和半导体设计方面仍然高度依赖区域外供应商，而 AI 热潮正在进一步放大这一短板。

意法半导体推出内置AI的高性能振动传感器

意法半导体推出一款智能振动传感器IIS3DWB10IS，以满足工业状态监测市场的高准确度、高可靠性和低功耗需求。

IIS3DWB10IS 振动传感器采用意法半导体MEMS 微机电系统工艺制造，内部集成智能传感器处理单元（ISPU 2.0），将高级数字信号处理和人工智能推理能力下移至传感器端。这款传感器尺寸紧凑，稳健可靠，可以测量10 kHz 及以上的高频振动和冲击，动态范围高达 200g，兼具数字化测量的精准度和易用性，工作温度范围高达125℃，可在恶劣的工业环境中稳定工作，帮助客户提升设备稼动率，减少计划外异常停机，并支持预测性维护方案在工业场景内的普及应用。

英飞凌推出高性能TMR技术

英飞凌在其成熟的XENSIV™磁传感器产品组合基础上，推出了隧道磁阻（TMR）传感器产品系列。该系统作为对公司既有霍尔（Hall）、巨磁阻（GMR）和各向异性磁阻（AMR）传感方案的补充，进一步拓展了磁传感领域独特能力。其具备出色的灵敏度和高信噪比（SNR），搭配小体积磁体也可准确获取参数、实现可靠传感，且不受带宽限制；即使在更大气隙、更高机械公差的条件下，依然能保持稳定性能。

针对关键安全场景，英飞凌提供按照ISO 26262标准设计的车规级TMR传感器：单裸片配置可满足ASIL D（故障安全）合规要求，双裸片配置可实现最高2xASIL D（故障可运行）性能。

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