图：SK海力士展示的HBM相关样品。图片来源：DIGITIMES
SK海力士正在韩国清州P&T6厂区导入更多后段制程设备，为HBM4大规模量产进行最后阶段准备。随着英伟达AI基础设施需求持续扩大，HBM供应商的竞争焦点正从单纯的DRAM晶圆产出，进一步延伸到堆叠、键合、回流、量测与测试等后段封装能力。
P&T6从验证线走向量产准备
The Bell披露，SK海力士已按滚动排程将更多后段设备搬入P&T6厂区，来自多家设备商的交付预计将持续到2026年第三季度。此前，第一批设备已于3月到位，用于建立一条“one-pass line（一贯式验证线）”，以验证制造准备度与工艺稳定性。
目前，这条验证线的验证工作接近完成，后续设备订单也已经下达。正在安装的设备包括用于HBM堆叠流程的热压键合设备、回流设备、各类量测设备，以及其他将分阶段部署的后段封装工具。
P&T6由原M8工厂改造而来，M8曾由SK Hynix System IC运营。2020年SK Hynix System IC将生产迁往中国后，该厂区闲置。SK海力士曾评估多种用途，但HBM需求强于预期，最终促使公司将其改造为封装与测试中心。
清州布局压缩HBM生产周期
P&T6预计将与附近的新DRAM生产基地M15X协同运作。M15X预计在2026年下半年开始月产4万至5万片DRAM晶圆，并在2027年提升至约8万片。两座厂区距离较近，有助于M15X生产的DRAM更快流入P&T6进行HBM组装，降低物流距离和整体生产交期。
设备产业人士预计，P&T6有望在2027年第一季度前后进入实质运营阶段。对于HBM4而言，前段晶圆、后段封装和最终测试之间的协同效率，将直接影响交付节奏与良率爬坡速度。
英伟达合作放大先进内存供给压力
产能推进的背景，是SK海力士面临来自全球AI数据中心客户的更高供货压力。路透社报道称，英伟达首席执行官黄仁勋访问韩国期间宣布与SK海力士达成多年期技术合作，SK海力士将为全球AI数据中心应用开发先进内存。黄仁勋称SK海力士是英伟达最大的内存合作伙伴，并预计这种地位将延续。
黄仁勋还表示，英伟达每年已向SK海力士采购价值数十亿美元的内存，未来采购规模将大幅增加；即便SK海力士计划到2030年将内存晶圆产能翻倍，仍可能难以完全满足AI需求的增速。
这也说明，HBM竞争已经不只是规格迭代，而是客户路线图、设备交期、封装产能、良率控制和长期供货能力的综合竞争。NH Investment & Securities高级分析师Ryu Young-ho指出，SK海力士与英伟达的合作进一步强化了一个趋势：内存芯片正从传统大宗商品业务，转向由长期、客户定制化技术协作定义的新型业务。
P&T7延续后段扩产主线
除P&T6外，SK海力士还在建设更大规模的P&T7封装与测试设施，投资额约19万亿韩元。P&T7规划同时容纳晶圆测试线和晶圆级封装线，其中晶圆测试设施目标在2027年10月完工，晶圆级封装线计划在2028年2月就绪。
P&T6的设备导入与P&T7的长期建设，显示SK海力士正在把后段能力视为HBM供应链的核心瓶颈之一。对于HBM4这类面向下一代AI加速器的高端内存产品，单颗芯片性能之外，能否稳定完成多层堆叠、精密键合、热管理和大规模测试，将决定其能否按客户节奏放量。
从产业角度看，HBM供应链正在进入“前段晶圆+后段封装+客户协同开发”一体化竞争阶段。AI基础设施需求越强，内存供应商越需要提前锁定设备、厂房和客户认证窗口。SK海力士此次推进P&T6，既是对英伟达等大客户需求的产能回应，也是其在HBM4周期中巩固领先位置的关键动作。
原文标题：SK Hynix readies HBM4 packaging push as Nvidia demand grows
原文媒体：DIGITIMES
