2026年，AI算力需求持续增长，端侧大模型加速落地，具身智能步入蓝海。这些变革正驱动存储产业进入一个前所未有的“超级周期”。性能、功耗、尺寸、可靠性——存储芯片的多维指标被推向新的高度。
在这一轮技术浪潮中，深耕存储领域18年的时创意，正以完整的全产业链布局和扎实的智造能力，成为AI时代不可忽视的存储力量。
紧跟AI趋势
全场景存储能力持续进阶
从智能穿戴到AI PC，从边缘推理场景到高性能计算，终端应用对存储芯片的需求正在快速分化。一方面，AR眼镜、人形机器人、AI手机等设备要求在极致紧凑的空间内实现高带宽与低功耗；另一方面，AI服务器与高端工作站则需要前所未有的顺序读写性能与能效比。
面对这些行业趋势，时创意为不同的AI场景提供了针对性的存储解决方案。
面向端侧AI设备
LPDDR5X兼具高传输速率与低工作电压，在性能与功耗之间实现了精妙平衡；UFS 3.1提供的高速顺序读取能力，配合写入增强技术与深度睡眠状态，为端侧推理任务消除存储瓶颈；mini eMMC与ePOP则以极致的小型化设计，精准适配空间受限的智能穿戴与AI眼镜。
面向AI PC与高性能计算
DDR5内存模组带来更高传输带宽与On-die ECC数据完整性保障，成为新一代计算平台的理想搭档；S14000 Pro PCIe 5.0 x4 NVMe SSD则以更高的顺序读取速度，满足算力体系对数据传输速率的高速追求。
此外，时创意还拥有覆盖主流PC与移动场景的存储芯片解决方案，形成从工业到消费级设备的全场景存储能力。
存储硬实力
产能跃升与智造底座
产品能力的背后，是时创意不可替代的技术底座与制造壁垒。
2025年时创意启用集研发、制造、营销于一体的总部大厦，建筑面积达66000平方米，是深圳“工业上楼”的“芯”地标，从硬件到软件完成了系统性升级。总部大厦的设计和布局，全面对标全球高端Tier1客户在技术、品质和服务方面的严苛要求。
在工艺端
时创意导入了当前最先进的SDBG晶圆切割工艺，可将晶圆切割至25μm的超薄厚度；同时引入C-Molding封装工艺，使成品目标厚度薄至0.6mm。这些工艺能力的突破，为时创意高端存储芯片产品的超薄设计与高密度集成提供了根本保障。
SDBG工艺品牌：Maxwell
在测试端
时创意配备了全球顶尖的泰瑞达超高速ATE测试机，测试频率高达11000MHz，确保每一颗LPDDR5X芯片在出厂前都经过严苛的性能验证。
DRAM ATE超高速率测试机台品牌：TERADYN
在智能制造层面
时创意已具备拥有“自学习、智能预测与生态互联互通”能力的智能化体系，贯穿从设计、计划、采购、生产、品质、仓储、销售、客服，实现全链条数字化集成制造模式。同时，时创意还获得了智能制造能力成熟度肆级认证，符合未来AI工厂的发展方向。
长期坚守
持续赋能AI时代的新需求
面对AI带来的供应链波动与新趋势，时创意除当前成熟的嵌入式存储、内存模组、SSD、移动存储产品线外，也在积极布局面向AI与智能设备的存储芯片新赛道。从先进封装到智能制造，从核心产品到定制服务，时创意正以全产业链服务能力，全面拥抱AI存储超级周期，以“专注存储，以芯换心”的长期坚守，持续为客户创造价值。
6月23日，由TrendForce集邦咨询主办的“2026集邦咨询半导体产业高层论坛（TSS 2026）”将在深圳市福田区金茂JW万豪酒店举办。届时，时创意将携前沿存储产品亮相，诚邀大家莅临咨询、交流。
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