长鑫存储突围HBM封锁，押注3D DRAM定制化赛道

【区角快讯】美国出口管制的大棒挥下，直接切断了长鑫存储获取高带宽内存（HBM）制造设备的通道。这意味着，在主流AI内存市场与三星、SK海力士正面硬刚的路径已被堵死。面对如此困局，长鑫并未坐以待毙，而是将战略重心悄然转向了定制化DRAM领域，试图以此寻求破局之道。

具体而言，长鑫正全力攻坚3D集成电路及3D DRAM技术。这种新型架构设计的精妙之处在于，它有望在不依赖传统HBM专用设备的前提下，有效解决数据传输的性能瓶颈。据悉，长鑫已在合肥启动了一条键合DRAM研发线，其核心目标是通过DUV设备配合多重曝光工艺，制造出10纳米级的高性能DRAM芯片。

值得注意的是，尽管不少无晶圆厂芯片设计公司已就此类定制化方案向三星抛出橄榄枝，但这家韩国巨头连同SK海力士均表现得相当审慎。毕竟，对这两家企业而言，大规模出货标准DRAM模块才是当下最稳妥的利润奶牛。贸然转向高度定制化的3D DRAM市场，不仅背离其成熟的商业模式，更伴随着巨大的研发与市场风险。因此，即便他们也在进行前沿技术储备，短期内并无大规模商业化的打算。

反观中国半导体阵营，长鑫存储、华邦等厂商已研制出多款3D DRAM样品芯片，并开始积极对接客户项目。从某种角度看，这种“避险”策略或许会让三星和SK海力士在未来的竞争中陷入被动。一旦长鑫的定制化路线彻底跑通，便不会再回到由韩国厂商统治的标准化DRAM红海。届时，若再想追赶，恐怕为时已晚。