长鑫存储(CXMT)首次在全球DRAM内存市场实现两位数的市场份额,进一步加剧了其对三星电子和SK海力士的威胁。
据市场研究公司Counterpoint Research 3日发布的数据显示,长鑫存储今年第二季度在全球DRAM市场营收份额中占据10%的份额,这是该公司季度市场份额首次突破两位数。长信存储器的市场份额在2023年时还不到1%,但去年第二季度迅速增长至4%,今年第一季度达到8%,如今已突破10%。

Counterpoint Research和全球投资银行瑞银此前均预测,长鑫存储的出货量份额要到2028年才能达到10%,但该公司已提前突破了季度营收10%的门槛。随着公司扩大生产线并加强对大型科技公司的销售,预计这一增长趋势将在短期内持续。
CXMT正在上海和合肥建设新的生产线,预计明年将晶圆月产能从目前的32万片提升至42万片,并在2030年实现翻番。公司近期成功完成首次公开募股(IPO),并正积极备战全面投资竞争。

由于三星电子(005930)和SK海力士(000660)将重心放在1c DRAM和高带宽内存(HBM)等先进存储技术领域,导致1a DRAM等老牌DRAM市场的供应日益紧张,CXMT正加速推进其业务拓展。此外,小米通过在新款智能手机“小米Fold 18”中搭载其最新的低功耗DDR6双倍数据速率(DDR)产品,正瞄准目前由三星电子和SK海力士主导的高端内存市场。
业内人士预测,CXMT将加快供应扩张和技术研发,目标是占据15%的市场份额。Counterpoint Research总监黄敏成表示:“15%是CXMT必须跨越的基准线(才能获得投资资金),”并补充道:“所有正在进行的投资都是为了率先实现这一目标。”在NAND闪存市场,长江存储(YMTC)也在加剧竞争,第一季度已占据13%的市场份额。
第二季度,三星电子和SK海力士的市场份额表现截然不同。三星电子以38%的市场份额位居榜首,较去年同期增长5个百分点,超越了去年同期的SK海力士(39%)。SK海力士的市场份额则维持在25%,较去年同期下降14个百分点,与排名第三的美光(24%)的差距也缩小至1个百分点。这一差异主要源于SK海力士在第二季度专注于供应HBM,因此未能从通用DRAM价格上涨中获益。两家公司都计划在今年下半年通过大规模生产用于新型AI芯片(例如英伟达的“Vera Rubin”)的HBM4来应对中国市场的竞争。

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