长鑫存储导入HKMG技术，加速冲击1a节点与产能扩张

【区角快讯】当半导体行业的竞争焦点从单纯的制程数字游戏转向材料与架构的深度重构时，中国DRAM领军者长鑫存储（CXMT）悄然完成了一次关键的技术跃迁。据8月28日披露的消息显示，该公司已在DRAM晶体管中成功引入高K金属栅极（HKMG）技术。这一举措并非简单的工艺迭代，而是直击当前微缩制程痛点——随着器件尺寸逼近物理极限，传统二氧化硅绝缘层因过薄而失效，电子借由量子隧穿效应穿透引发漏电难题。

值得注意的是，长鑫存储选用氧化铪等高介电常数材料替代旧有硅基绝缘层。鉴于“K”值直接关联电荷存储与绝缘效能，氧化铪凭借远超二氧化硅的介电常数，能在同等电压下容纳更多电荷，既维持了有效绝缘，又为器件进一步微缩扫清障碍。与此同时，定制化金属栅极堆叠取代了传统多晶硅栅极，彻底消除了“多晶硅耗尽效应”造成的电学死区。对于由一晶体管一电容构成的DRAM阵列而言，这种改进不仅抑制了无效发热与漏电，更凭借金属栅极更快的切换速度，显著提升了开关效率与数据传输性能。

市场层面反馈显示，该技术正被应用于G4代DRAM制程及LPDDR5X产品。业界普遍推测，其G4制程大致对应1z级节点，HKMG的落地标志着长鑫已触及1a级节点的门槛。此外，下一代15nm级G5制程的开发也在同步推进，工艺演进路线明显加速。在高带宽内存（HBM）赛道，长鑫利用18nm级G3制程进入HBM2E风险生产阶段，基于G4的HBM3样品亦开始交付，DDR6芯片则已完成研发验证，量产在即。

面对长鑫的迅猛势头，三星、SK海力士和美光等巨头并未松懈，正加紧布局D0a级亚10nm节点，并转向3D DRAM及4F²存储单元架构，试图通过垂直堆叠将单元面积压缩至极致以维持领先。然而，产能扩张或许是长鑫另一张王牌。目前其月产能约20万片晶圆，计划年底前增至30万片/月，其中HBM产能预计占5万片。随着上海与合肥两座新工厂的建设，未来总月产能有望突破60万片。

从长远预测来看，长鑫存储在2026至2031年间，月产能预计每年增加约10万片，至2031年将达到80万片/月，较2024年增长超5倍。有分析指出，其产量可能在2030年前后超越美光。这场围绕材料创新与规模效应的博弈，正在重塑全球存储芯片的市场格局。