英飞凌科技股份公司
展位号：16号馆D01
英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约57,000名员工（截至2025年9月底），在2025财年（截至9月30日）的营收约为147亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。
英飞凌设计、研发、生产并销售范围广泛的半导体和基于半导体的解决方案，聚焦汽车、工业和消费电子等行业的关键市场。其产品丰富多样，包括从标准元器件，到面向数字、模拟和混合信号应用的特殊元器件，再到人工智能（AI）和特定消费领域的数据中心。
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约3,000多名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术应用支持、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
Q&A
卢柱强
应用市场总监
英飞凌消费计算与通讯业务大中华区
1
A:在全球共同努力推动低碳化、数字化进程的趋势下，功率半导体的市场需求持续增长。
这一结构性增长态势主要得益于两大核心驱动力：一方面，能源转型浪潮下，光伏/风电储能、智能电网、新能源汽车、电动汽车充电基础设施等新能源产业快速发展，成为拉动功率半导体增长的重要引擎；另一方面，AI的爆发也为功率半导体带来了可观的增量应用需求。AI数据中心、具身智能机器人、无人机、智能驾驶等新型应用等也对功率半导体的效率、密度和可靠性提出了更高要求，推动产品迭代与价值提升。
这也意味着功率半导体作为新能源汽车、光伏储能、AI数据中心等高成长赛道的"电力心脏", 当前正从传统的周期性增长，转向由新能源与AI双轮驱动的结构性新成长周期。
市场数据，以及全球功率半导体龙头企业英飞凌最新发布的业绩预期也印证着这场变革的深度。进入2026下半年，英飞凌的多个终端市场正同时进入更为广泛的上行周期。AI 热潮持续增强，公司面向 AI 数据中心的电源解决方案需求极为旺盛；电力基础设施的扩张正在加速，正逐步成为英飞凌工业业务领域日益重要的增长引擎；软件定义汽车也在全球范围内呈现积极发展态势。
上述领域为英飞凌的业务提供了结构性的增长机会：
‒ 电网的现代化升级不仅拉动了对相关基础设施的投资，也助推了整个市场对储能系统以及输配电设备的需求增长；持续增长的AI数据中心建设，带动了对不间断电源系统、通用电源设备以及用于制冷的商用暖通空调系统的需求。
‒ 得益于全球对数据中心及相关基础设施的持续大规模投资，英飞凌AI电源解决方案的市场需求依然非常强劲。有鉴于此，英飞凌预计，2026财年来自AI数据中心电源解决方案的相关营收将达到15亿欧元，2027财年这一数字将达到25亿欧元。
英飞凌致力于支持AI应用的发展，并通过扩大产能来满足市场需求。公司位于德累斯顿的智能功率半导体工厂将于2026年晚些时候竣工，这恰逢其时，正好可以受益于AI热潮。此外，英飞凌还与台积电、博世及恩智浦等合作伙伴，共同投资位于德累斯顿的ESMC合资项目。这两个项目均明确专注于工业、汽车和人工智能应用的重要产品。
2
A:【AI算力需求爆发对电源系统的核心挑战】
伴随现代GPU功耗持续走高，以及AI算力节点的规模化密集布局，新建数据中心的电力消耗已迈入数百兆瓦量级。未来数年，为适配大尺寸AI模型爆发式增长的算力需求，专门的“AI工厂”将逐步出现。在同一数据中心园区内，此类算力设施的用电量将达到吉瓦级，甚至可能达数吉瓦。多家超大规模数据中心运营商已发布了相关建设计划。在训练过程中，大型 GPU 集群的负载剧烈波动，所引起的电力供应与电网稳定性问题，成为确保这些数据中心安全运行的重大挑战。这对电网基础设施的扩容、现代化升级与运行稳定性提出了更高要求。
围绕AI数据中心的电源系统而言，一条基本底线就是：电源不应成为计算性能提升的瓶颈。要做到这一点，就必须“从电网到核心（from grid to core）”设计高效的电能流，确保从电网侧到机柜再到靠近处理器的核心电压，每一环节都能以更低损耗、更高效率、更强稳定性运行。
(Source：AI 供电的未来白皮书（P16）EET China CEO 采访）
【功率半导体在数据中心中的核心价值】
当前，AI数据中心采用分布式的电源供应，即AI芯片由大量电源供应单元（PSU）进行供电。未来的系统架构将采用集中式的设计，让服务器机架中有限的空间得到更好的利用。这将凸显先进功率半导体解决方案的重要性，包括减少电源转换的次数以及可以处理和承受更高的供电电压。
英飞凌是功率半导体解决方案与系统集成领域的领导者, 正在推动电源供应架构的革新，以满足未来的AI数据中心需求。公司预计，未来集中式HVDC架构中的功率半导体占比，将与其在当前交流配电架构中的占比接近甚至更高。
英飞凌携手NVIDIA正在开发采用集中式电源供电的800 V高压直流（HVDC）架构所需的下一代电源系统。新的系统架构将显著提升数据中心的电源传输效率，并且能够在服务器主板上直接进行电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。英飞凌在电源转换领域拥有深厚的积淀和技术专长，能够提供从电网到处理器核心的电源转换解决方案，全面覆盖硅、碳化硅和氮化镓等所有相关的半导体材料，正在加速实现其全面的 HVDC 架构路线图。
这项技术革新和进步为在加速计算数据中心中部署先进的电源供应架构铺平了道路，并将进一步提高可靠性和效率。随着AI数据中心GPU用量已超过10万个，高效电力分配的需求日益迫切。预计在2030年之前，AI数据中心内部每个 IT 机架的输出功率需要达到1 MW甚至更高。因此，结合了高功率密度多相电源解决方案的HVDC架构将树立新的行业标准，推动高质量半导体元器件和电源配电系统的开发。
除了扩展HVDC电源架构，英飞凌亦将继续通过涵盖整个电源流程、基于所有相关半导体材料的广泛产品组合，为超大规模计算和AI数据中心运营商的先进DC-DC多相解决方案和中继架构提供支持。
(Source：NVIDIA合作新闻稿)
3
A:【SiC器件在AI服务器电源中的能效提升】
‒ PSU：随着AI处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率。英飞凌开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品，基于第二代CoolSiC 技术，推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列，专为AI服务器的AC/DC级开发。
与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，该系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in³以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN™晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
(Source：CoolSiC MOSFET 400 V新闻稿)
‒ SST：固态变压器（SST）技术有望在未来高效的800V直流电AI数据中心供电架构中发挥关键作用，实现端到端的高效转换，并在公共电网与数据中心配电系统连接时，带来大幅减轻重量和体积、降低碳排放足迹，以及加快配电系统的部署等优势。SST需要以高频化、模块化的方式实现高压交流电到800V直流电的直接转换，对器件的高频特性、开关损耗、功率密度提出了远高于传统工频变压器的要求，所以SST的高压前端将以SiC为主流选择。
英飞凌与SolarEdge合作，共同推进SolarEdge的SST平台在新一代AI与超大规模数据中心中的应用。此次合作旨在共同设计、优化和验证一款2至5MW的模块化SST基础单元。该平台将英飞凌先进的SiC开关技术与SolarEdge经过验证的电能转换与控制拓扑相结合，实现超过99%的转换效率，助力全球向基于直流电的高效数据中心基础设施转型。全新的SST专为实现在中压至800–1500伏直流电（DC）转换而设计，其转换效率超过99%，同时减小设备体积、降低重量，并有效减少了碳排放足迹。
（Source： EEFocus GaN主题采访，SolarEdge新闻稿）
【GaN器件在AI服务器电源中的能效提升】
在AI数据中心中，随着功率需求攀升及向800V、+/-400V基础设施演进，功率密度与尺寸限制也随之提高，GaN将在服务器板上高压IBC、中压IBC、电池备份单元（BBU）这些对高频、高密度、大降压比最敏感的环节中发挥越来越重要的作用，这些关键系统可受益于GaN的高功率密度特性及其在苛刻环境下提升效率的能力。
GaN具备极高电子迁移率与零反向恢复电荷，可实现极快开关速度，能在提升频率的同时控制发热，并在极小空间内完成高效率转换。这一材料优势使其在对高频场景中明显优于Si，同时弥补了SiC在开关速度与反向恢复特性上的不足。完美适配800V架构下高密度、高效率的供电需求，成为AI数据中心供电升级的最优解。
在性能上，以5kW机架为例，借助英飞凌采用的交错式转换器拓扑，采用GaN的IBC可较Si方案提升约1%转换效率，对应损耗降低约30%。在100V等级下，GaN芯片面积约为Si的一半，栅极电荷降低约70%，输出电荷大幅减少，且无反向恢复电荷，显著提升功率密度与系统效率。
英飞凌正推进具备可扩展性的高产能 300 mm GaN 功率晶圆技术，从而推动 GaN 在成本上接近 Si 技术。NVIDIA与英飞凌已宣布在全新的 800V 数据中心架构方面展开合作，展现了 GaN 在为电源单元（PSU）和中间总线转换器（IBC）等关键器件供电 方面的应用潜力。
（Source: EEFocus GaN主题采访，英飞凌2026年GaN技术展望）
4
A: 【GaN功率器件市场规模高增长驱动领域】
在优异的性能、效率和可靠性的推动下，GaN功率半导体的应用正加速向各个细分领域普及，不断突破功率电子在效率、性能和可靠性方面的极限，其中包括AI数据中心、人形机器人、电动汽车等。
尤其值得一提的是，在当前持续火热的机器人赛道中，GaN技术发挥着关键作用。
随着机器人技术的不断革新，其发展正从单纯的自动化，迈向物理 AI阶段，使机器人能够在现实物理世界中感知、思考和行动。这一转变使机器能够与人类和自主系统协同工作， 并在复杂的环境中导航。半导体在这一技术跃迁中扮演着重要角色，是机器人不可或缺的基础构成单元，赋 予其“感知”、“决策”和“运动”能力，使其能够实现智能、安全、可靠的人机协作。而这类应用离不开紧凑的设计和精确的功率管理，而这正是GaN的优势所在。以人形机器人为例，GaN 技术可通过更紧凑、更高效、性能更优的功率模块，实现精确的运动控制，即便在手肘、手部等空间受 限的关键部位亦是如此。GaN技术有助于实现更轻量化的机器人、更长的运行时间、 更高的机动性以及更优异的电机控制性能。同时，GaN技术还能使机器人以更高的精度和效率完成各类任务。
此外，英飞凌近期达成的一系列里程碑充分展现了GaN的巨大潜力：英飞凌的CoolGaN双向开关已在光伏微型逆变器中 取得显著成功，在提升效率的同时，有效降低了系统成本。此外，GaN在单级车载充电器中的应用，也正在为功率密度和系统性能带来突破性的提升。
GaN性能卓越，但要充分释放其潜力，仍需应对成本与规模化量产等挑战。英飞凌正致力于克服这些挑战—— 其中最重要的一项举措，是推进具备可扩展性的高产能300 mm GaN功率晶圆技术，从而推动GaN在成本上 接近Si技术。
【SiC从6英寸向8英寸产线过渡对市场及成本的影响】
相较于6英寸晶圆，8英寸晶圆在单位面积上可产出更多芯片，这不仅提升了生产效率，还显著降低了单位成本。因此，从6英寸向8英寸碳化硅产线的转型升级已成为产业发展的必然趋势，且这一过渡进程正在不断提速。
英飞凌（Infineon）正积极推进从6英寸向8英寸碳化硅（SiC）产线的过渡，以应对全球市场对碳化硅等功率半导体日益增长的需求。
英飞凌位于菲拉赫和居林的工厂，计划在质量验证通过后的3年内全面过渡到200mm 产能。居林工厂，已于2025 年第1季度开始向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。
(Source: GaN Insights 2026白皮书、SiC media briefing BB、200mm SiC press release)
5
A: 就英飞凌而言，我们认为宽禁带半导体是功率半导体技术的重要发展方向，但是在向宽禁带半导体过渡的过程中，不同市场和应用领域的情况不尽相同。在未来很长的一段时间之内，Si和SiC、GaN将会是共存的状态，会各自在最能发挥他们产品性能的应用中继续扮演关键的角色。
这意味，硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）并非“非此即彼”，而是要在同一系统架构中按电压/频率/功率密度与应用约束协同分工——SiC承担中高压与高功率密度场景，GaN在高频、高效率、小型化的板级变换中发力，硅则在控制与中低压侧提供性价比与成熟度。
英飞凌在功率半导体领域连续多年稳居第一，我们的产品组合全面覆盖了硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种关键的半导体材料和技术。并且，通过不断突破技术极限，为客户创造价值，持续巩固并增强其在行业内的创新领导者地位。
全球最薄硅功率半导体晶圆：厚度为20μm，仅为头发丝的四分之一；功率损耗减少15% 以上。
在马来西亚居林建设全球最大且最具竞争力的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂，支持汽车和工业级应用的客户需求。
全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆：成本与硅持平，提高效率，实现系统小型化。
(Source: SiC media briefing BB、EETimes China Interview with CEO)
英飞凌科技股份公司将携带多款产品
亮相PCIM Asia Shenzhen 2026
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