展商专访|辰达半导体:全系列功率分立器件方案,助力车规级与 AI 数据中心器件国产化突破

PCIM Asia电力电子展 2026-07-09 15:00
展商专访|辰达半导体:全系列功率分立器件方案,助力车规级与 AI 数据中心器件国产化突破图1



深圳辰达半导体有限公司


展位号:16号馆C20

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深圳辰达半导体有限公司(MDD)成立于2008年,是一家专注功率分立器件研发、制造与销售的国家高新技术企业。公司总部位于深圳,在安徽滁州拥有现代化生产基地,通过了IATF 16949(汽车行业质量管理体系认证)、ISO9001等国际质量体系认证,具备从芯片设计、封装测试到产品交付的完整产业链能

MDD的产品矩阵覆盖MOSFET(高中低压大电流MOS、SGT MOS、Super Junction MOS)、二极管(肖特基、快恢复、整流、TVS/ESD)、三极管、整流桥、SiC器件(SiC二极管与SiC MOSFET)以及基础逻辑IC等全系列分立器件,广泛应用于新能源汽车、消费电子、工业控制、BMS电池管理、光伏储能、充电桩、医疗设备及安防系统等核心领域。

经过18年的技术积累与市场深耕,MDD已服务全球超过20000家客户,产品远销40余个国家和地区。公司始终坚持"更懂工程师,更懂半导体"的品牌理念,致力于为客户提供高可靠性、高性价比的功率半导体解决方案。当前,MDD正积极推进车规级AEC-Q101产品释放,加速向车规级分立器件核心供应商的战略目标迈进,力争成为国际半导体功率器件一线品牌。




Q&A













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Kelvin 

产品副总 

深圳辰达半导体有限公司


1

Q:作为PCIM Asia深圳2026的参展/参会企业,您对本次展会最大的期待是什么? 贵公司将在展会上重点展示哪些新技术或新产品?


A:PCIM Asia是全球具有影响力的行业盛会,MDD对本次展会有三点核心期待:第一,与全球客户和行业伙伴面对面交流,深入了解新能源汽车和AI等高速增长领域的技术需求趋势;第二,展示MDD近年来的技术突破和产品升级成果,寻求新的合作增长点;第三,通过展会的国际平台进一步强化MDD品牌的全球影响力,拓展海外市场合作机会。

本次展会上,MDD将重点展示三大类产品   和技术:

(1)车规级分立器件解决方案:包括通过AEC-Q101认证体系的肖特基、TVS/ESD保护器件,覆盖车载传感、CAN/LIN通讯等应用场景,满足汽车电子对高可靠性和零缺陷的严苛要求。
(2)第三代半导体SiC产品线:展示MDD最新开发的SiC二极管与SiC MOSFET系列产品,针对800V高压平台和光伏储能应用,实现更高效率、更低损耗的功率转换方案。
(3)超低功耗SGT MOSFET和先进保护器件:面向工业控制、AI终端设备,展示MDD在芯片设计和封装工艺上的最新成果,包括DFN等先进超小型封装方案,满足客户对高功率密度和紧凑设计的双重需求。


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Q: 业界普遍认为,功率半导体正进入由“新能源”与“AI 算力”双轮驱动的新成长周期。您如何看待这一判断?贵公司在这两大领域的战略重心分别是什么?资源如何分配?


A: “新能源+AI算力”双轮驱动是当下各国产业升级配套的重点方向,也是MDD当前重要的战略坐标系。

在新能源领域,MDD的核心战略重心落在BMS(电池管理系统)这一关键赛道。BMS是新能源汽车和储能系统的"神经中枢",负责对电芯电压、电流、温度的精确监测与保护,直接决定整个电池包的安全性、寿命和能量利用率。一套典型的多串BMS方案,需要大量的信号MOSFET(均衡控制)、肖特基二极管(反向保护/续流)、TVS/ESD保护器件(过压与静电防护)以及整流桥(辅助电源)等分立器件,单套用量甚至达数百颗,是分立器件最密集的应用场景之一,也是对分立器件可靠性要求最高的应用场景之一。MDD就BMS控制方案,提供最完整、全面的器件支持。

在AI算力领域,MDD的战略切入点聚焦于供电链路的高效转喊和信号完整性。AI服务器的供电架构正在经历从12V单级向48V总线+POL(负载点)降压的架构演进,部分超大规模数据中心已在探索将机柜总线电压提升至54V乃至更高。公司就高效的功率转换需求开发了SGT工艺平台低阻高频MOSFET,大幅降低栅漏电容和开关损耗。同时,公司完善的保护器件产品线,为电源的可靠和零中断要求保驾护航。


3

Q:贵公司如何看待 AI 算力需求爆发对电源系统的挑战?在数据中心、智能电网 等领域,功率半导体的核心价值体现在哪些方面?


A:AI算力需求的爆发对电源系统提出了前所未有的挑战,主要体现在三个维度:功率密度的急剧攀升供电架构的深度变革以及系统可靠性的极高标准

首先,单机柜功耗从传统的5-10kW飙升至40-100kW,这意味着电源系统的功率器件需要在更小的空间内处理更大的功率。功率密度提升直接推动了器件封装技术的革新——DFN、倒装芯片、双面散热等先进封装方案正在替代传统封装,MDD也正在积极布局DFN系列先进封装MOSFET和二极管产品,以应对高功率密度的市场需求。

其次,AI服务器的供电架构正在从12V/48V向48V/54V甚至更高电压平台演进,以减少电流路径上的损耗。这一趋势对中低压MOSFET的Rds(on)、栅极电荷等关键参数提出了更严格的要求。MDD的SGT MOSFET产品线在超低导通电阻和低栅极电荷方面具有显著优势,能够有效提升中间总线转换器(IBC)和负载点(POL)电源的转换效率。

最后,AI数据中心要求"零中断"供电,这意味着每一个保护器件都必须做到万无一失。TVS阵列、ESD保护二极管、肖特基整流管等分立器件是电源系统可靠性链路中的关键节点。MDD的全系列保护器件产品线能够为AI数据中心的电源系统提供全面的瞬态保护和信号完整性保障。

功率半导体在AI数据中心的核心价值不在于单颗芯片的规格参数,而在于构建一个从市电输入到芯片供电的全链路高可靠功率转换与保护体系。


4

Q: 从全球市占率看,功率半导体市场仍由一些国际巨头主导,但国内企业的份额正在快速提升。您如何看待当前功率半导体国产替代的进程?在车规和AI算力等高端市场,国产器件面临的最大挑战是什么(可靠性、良率、生态支持等)?


A: 功率半导体国产替代的进程正在从“量变”走向“质变”。过去5年,国产替代主要集中在消费电子、家电、工业控制等中低压应用领域,国产化率已经达到较高水平。MDD自身的发展历程就是这一进程的缩影——从消费电子起家,逐步拓展到工业控制和新能源领域,目前已服务全球超过20,000家客户。

当前国产替代的核心战场正在向车规级和AI算力等高端市场转移,这也是挑战最大的领域。我认为国产器件在这些高端市场面临三大挑战:
第一,车规级可靠性验证周期长、门槛高。AEC-Q101认证只是入场券,真正的高门槛在于Tier-1厂商和整车厂的要求——通常需要2-3年的产品验证周期(包括DV/PV测试、路试验证、量产一致性验证等),期间任何一批产品的可靠性问题都可能导致项目终止。MDD正在通过持续投入车规级质量管理体系建设来应对这一挑战。

第二,高端应用的技术积累需要时间以AI服务器电源为例,客户对器件的Rds(on)、Qg、反向恢复特性等参数有极致要求,同时需要配套完善的应用设计支持(参考设计、仿真模型、技术FAE团队)。国际巨头在芯片设计经验和应用支持生态上积累了数十年,这不是短期能够追平的。
第三,品牌信任度和供应链韧性。高端客户在选择供应商时,不仅评估产品参数,更看重供应商的产能稳定性、交付可靠性和长期技术路线规划能力。2026年英飞凌、安森美等国际大厂的涨价和交期拉长(部分产品超30-40周),客观上为国产器件加速进入高端供应链创造了窗口期。MDD正抓住这一机遇,通过安徽滁州生产基地的产能扩建和全球40+国家的服务网络建设,努力向客户证明MDD不仅能够提供有竞争力的产品,更能够成为长期可靠的供应链伙伴。


深圳辰达半导体有限公司将携带多款产品

亮相PCIM Asia Shenzhen 2026

16号馆 C20展位

诚挚邀请您莅临展会现场参观!

PCIM Asia Shenzhen 2026 将于今年8月26-28日亮相深圳国际会展中心  (宝安新馆)14&16号馆。届时将汇聚全球电力电子产品及其驱动技术和变电质量应用界的专业人士,展示电力电子产品和系统领域前沿研发成果。

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