铠侠闪迪联手推332层QLC闪存，位密度飙升六成破纪录

【区角快讯】在AI浪潮席卷数据中心、海量数据吞吐对能效提出严苛挑战的当下，存储技术的迭代显得尤为关键。近日，铠侠与闪迪共同揭晓了新一代QLC 3D闪存技术，这项基于第十代BiCS FLASH平台的成果，正试图重新定义行业标杆。

该技术的核心突破在于其惊人的堆叠架构——高达332层的垂直堆叠，配合经过深度优化的布局设计。数据显示，其位密度较第八代产品实现了60%的大幅跃升，一举突破37 Gb/mm²的大关。值得注意的是，这一指标在性能、能效及密度等多个维度上，均确立了新的行业高度。

为了实现如此高的集成度，新工艺引入了CBA（CMOS直接键合至阵列）技术。通过将CMOS逻辑电路与存储阵列分别制造于独立晶圆，再借助高精度的晶圆对位键合实现一体化，不仅有效提升了位密度，更为高速NAND I/O接口提供了物理基础。

与此同时，这款新品搭载了Toggle DDR6.0接口标准及SCA协议，成为业界首款NAND I/O速率达到4.8 Gbps的QLC 3D闪存。辅以PI-LTT技术，它在降低功耗的同时，显著优化了I/O数据传输的能效比，恰好契合了当前AI应用普及背景下，数据中心对绿色节能的迫切需求。

回顾上月，采用相同332层架构的TLC闪存样品已开始出货，其位密度为29 Gb/mm²。两相对比，此次发布的QLC版本在存储密度上的优势可谓一目了然。

目前，铠侠的战略布局清晰而务实：一方面，第九代BiCS FLASH以较低的资本投入换取高性能表现；另一方面，第十代BiCS FLASH则依托先进层叠工艺，主攻超大容量与极致性能场景。这两条并行推进的产品路线，旨在精准覆盖差异化的市场需求，为未来的存储格局埋下伏笔。