日本存储器芯片制造商铠侠控股（Kioxia Holdings）据传计划明年开始在岩手县的晶圆厂生产新一代的NAND快闪记忆芯片，希望大幅提升长期资料储存容量，来满足AI数据中心庞大的运算需求。
据日本经济新闻报导，铠侠岩手厂将以所谓「第10代」技术展开量产。 将堆叠内存的层数从第8代的218层拉高到332层，每单位面积的存储容量可提升59%，数据传输速度也能提高33%，同时还能降低耗电。
外界原先推测，铠侠可能会在负责研发的三重县四日市的晶圆厂量产新芯片。 但多位知情人士向日经透露，量产地点将改在岩手县北上市的晶圆厂。
铠侠并未规划扩建，而是使用园区内9月刚开始运转的晶圆二厂（Fab2）量产。
据报道，铠侠采双轨策略路线：一方面开发并量产高效能、但投资成本较低的产品; 另一方面则推出层数更多、容量更大的大型产品。
第10代芯片正是铠侠锁定的大容量产品，四日市厂将持续负责高效能产品; 至于需要大笔资本投入、透过增加层数来扩大容量的产品，则改由北上市厂负责量产，确保整体生产运作更有效率。
