SK海力士2.8万亿存储项目二期工厂开建！

SK海力士2.8万亿存储项目二期工厂开建！图1 在政府大力推进半导体生产基地早期投产的背景下，SK海力士正在加速扩建其位于龙仁和清州的产能。继龙仁一期工厂首个洁净室提前投入运营后，该公司也启动了二期工厂的建设。在清州，该公司提前投产了新一代DRAM生产线，并进一步扩建了其先进封装生产设施。这似乎是企业加大投资以应对AI存储器供应短缺，以及响应政府“半导体基础设施速度竞赛”号召的体现。

根据SK海力士的长期布局,其承诺向龙仁半导体产业集群累计投入六百万亿韩元（2.862万亿元人民币）,同时出资一百万亿韩元扩建清州生产基地。

据业内人士8月17日透露，SK海力士计划于2027年2月启用位于京畿道龙仁市处仁区元三面、目前正在建设中的半导体产业集群一期工厂的首个洁净室。这一时间比原计划的5月提前了三个月。一期工厂的建设总投资约为31万亿韩元。二期至六期的洁净室计划于2030年底前陆续建成。龙仁厂区的二期工程也已开工。SK海力士于去年4月启动了二期工程的地基建设，预计将于本月开始主体建筑施工。二期工程将包括三个洁净室。该公司计划以此为未来扩大产能奠定基础。

韩国政府也将继续推进半导体生产设施的建设。在7月6日举行的半导体产业集群公私联合考察会议上，李在明总统指示，在产业集群开发过程中，应尽可能并行开展各项行政程序，以缩短工期，而非按部就班。当时，李总统还指出，龙仁半导体产业集群项目的进度不足。

SK海力士在清州的投资也在加速推进。清州M15X工厂的首个洁净室已于去年10月提前启用。晶圆于今年第一季度开始投入使用，设备正在陆续安装。SK海力士在M15X工厂投资约20万亿韩元，旨在确保包括高带宽内存（HBM）在内的下一代DRAM产能。

在清州，投资不仅持续推进前端工艺，也包括后端工艺。SK海力士正在投资19万亿韩元建设先进封装厂P&T7。今年4月，洁净室建设正式启动，目标是在2027年底前竣工。P&T7将作为后端加工中心，负责将M15X生产的DRAM商业化为HBM。

SK海力士加快在龙仁和清州两地投资的原因是，人工智能数据中心的扩张推动了对内存的需求增长。该公司在近期的一份声明中解释说，由于人工智能学习、推理和云服务的普及，对先进内存的需求正在上升。声明指出，随着超大规模数据中心运营商对人工智能数据中心进行长期投资，对HBM等人工智能内存的长期供应合同的需求也在增长。

龙仁和清州两地的角色也各不相同。龙仁作为确保大规模前端生产能力的中心，专注于HBM和高端DRAM的生产。清州工厂采用的架构是：M15X工厂生产下一代DRAM，P&T7工厂进行先进封装。SK海力士计划通过连接这两个地区的生产设施来扩大其AI内存的供应能力。

随着政府加快半导体生产设施的许可审批和基础设施建设，SK海力士也在提前启动其现有生产基地的运营。行业分析人士指出，由于AI内存的需求增长速度超出预期，及时获得生产设施本身已成为一项竞争优势。

一位半导体行业人士表示：“对于HBM而言，能否在客户需要时提供所需的产量至关重要。龙仁和清州两地产能的落实速度将影响未来的供应响应能力。”

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