英特尔首席执行官陈立武（左）与英特尔代工执行副总裁李锡熙（右）。图片来源：Lip-Bu Tan
英特尔正释放出加码下一代存储技术的明确信号。首席执行官陈立武近日在公开对话中表示，公司正在研究新的存储架构，并将其称为自己重点关注的项目之一。与此同时，英特尔今年6月任命前SK海力士首席执行官李锡熙出任英特尔代工执行副总裁，直接负责先进封装、系统集成、后段技术开发与后段制造。不过，英特尔目前并未宣布重返传统DRAM或NAND制造，其战略重点更可能落在处理器、存储器与先进封装的深度协同。
不是重返传统DRAM，而是重构计算与存储边界
陈立武表示，过去存储器长期被视为高度周期化的大宗商品业务，因此他本人曾对相关投资保持谨慎。但AI和高性能计算正在改变这一逻辑：当算力持续提升后，系统瓶颈越来越多地来自数据搬移、内存带宽、容量和功耗，而不再只是CPU或GPU本身的峰值性能。
他特别提到，CPU与存储器之间存在多种堆叠与更紧密集成的可能。这意味着英特尔关注的并非单纯增加DRAM产量，而是通过新型存储结构和先进封装缩短处理器与存储器之间的数据路径，降低数据移动能耗，并提高AI系统的有效带宽。
李锡熙掌管先进封装，存储背景与系统集成战略形成交点
英特尔于6月18日宣布任命李锡熙为英特尔代工执行副总裁。李锡熙曾任SK海力士总裁兼首席执行官，此后担任SK On总裁兼首席执行官，早年还曾在英特尔工作约十年。英特尔明确将其职责集中在先进封装、系统集成、后段技术开发和后段制造。
这一岗位设置本身具有战略含义。英特尔希望把前沿逻辑芯片、存储器、网络芯片及其他功能芯粒通过系统级集成方式组合起来，而不是把晶圆制造和封装视为彼此独立的业务。公司同时正准备推动EMIB-T和HBI等先进封装技术扩大客户量产应用。
ZAM成为已公开的下一代存储探索方向
除内部探索外，英特尔已经与软银旗下SAIMEMORY合作开发Z-Angle Memory（ZAM）。该项目面向AI和高性能计算，目标是在提高存储容量与带宽的同时降低功耗。其技术基础来自英特尔“下一代DRAM键合”（NGDB）计划以及更早期的先进存储技术研究。
英特尔与SAIMEMORY官方时间表显示，ZAM计划于2027年完成原型开发，商业化目标设在2030年前。这表明英特尔正在尝试突破传统平面DRAM与现有HBM结构的局限，但目前仍处于研发与验证阶段，距离形成大规模商业收入仍需经历器件、键合、封装、测试、成本与客户认证等多重验证。
先进封装成为“计算—存储融合”的关键基础设施
对AI系统而言，更靠近计算单元的存储架构必须与封装技术同步演进。英特尔EMIB-T通过在局部硅桥中加入硅通孔（TSV）实现更直接的垂直供电，有助于支持超大尺寸多芯粒封装以及高带宽存储器互连。英特尔也在推进玻璃基板、混合键合和光电共封装等技术，为更高密度系统集成预留空间。
陈立武还在公开交流中讨论了玻璃基板、合成金刚石以及从风冷、液冷进一步演进至微流体冷却的可能性。这些方向并不等同于已经确定的量产路线，但反映出英特尔正在从芯片设计延伸至供电、互连、封装、散热和系统架构的整体协同。
产业观察：英特尔要争夺的是AI“内存墙”背后的系统价值
英特尔重新讨论存储器，并不意味着其短期内要与三星电子、SK海力士和美光正面争夺传统DRAM或NAND市场。更值得关注的是，AI正在把存储器从标准化配套器件推向系统级关键资源。谁能把计算、存储、网络和封装更紧密地结合，谁就更有机会降低数据搬移成本并提高整机能效。
这一战略也与陈立武强调的“全栈”思路一致。英特尔既拥有CPU和GPU产品，也拥有先进制程、先进封装与系统集成能力，如果未来能够把新型存储架构纳入同一技术平台，其竞争方式将不再局限于单颗处理器性能，而是转向整套AI计算基础设施的效率和可扩展性。但相应风险同样明显：新型存储技术研发周期长、制造良率要求高，且必须建立材料、设备、封装和客户生态。因此，李锡熙的加入更像是英特尔为下一阶段系统级整合提前补齐能力，而不是已经确定的“重返存储器制造”计划。
