别再把TGV通孔、RDL布线与通用PVD混为一谈

“

玻璃中介层凭借低介电、高平整度、支持大尺寸拼接等优势，成为高频、光电先进封装的重要技术路线。在整套互连链路中，PVD镀膜承担着种子层制备等关键环节。行业内常常将TGV孔内镀膜、RDL表面布线、通用PVD混为一谈，但三者技术目标、攻克的工程难点完全不同，并不能简单互相替代。

”

TGV-PVD

聚焦高深通孔内部的种子层制备

TGV即玻璃通孔，指在玻璃基板上加工大量又深又窄的微孔，依靠孔内壁的金属种子层，实现玻璃基板上下垂直导通。以深宽比10:1的结构为例，孔洞深、开口狭小，镀膜离子很难抵达孔道深处，这是该工序最大的工程难点。

如果采用常规PVD实现TGV通孔种子层：

只能不断加厚表面总膜厚（＞5000 nm），寄希望少量金属溅射到孔内壁，随之带来诸多量产痛点：

台阶覆盖率不足1%，孔内壁很难形成连续有效的铜层；

厚膜产生巨大内应力，造成玻璃基板翘曲变形；

孔口极易被堆积的金属封堵，直接导致器件失效；

镀膜周期长，量产效率低下。

高离化率TGV‑PVD工艺跳出 “依靠堆表面厚度换取孔壁镀层” 的传统思路。同等10:1高深宽比条件下：

表面总沉积厚度仅1200 nm，就可满足孔壁≥50 nm种子层厚度的导通需求；

台阶覆盖率提升至4%以上，金属离子可以有效抵达通孔深处；

镀膜时长压缩至20%左右；

膜层整体应力更低，基板翘曲可控，规避孔口堵塞风险，满足量产验证条件。

通俗理解：如同墙体上打出很多深井，TGV‑PVD的核心，就是给深井井壁镀上连续导电层，打通墙体上下两面。

RDL重布线

玻璃基板表面平面互连工序

TGV通孔完成孔内金属化，实现垂直导通之后，后续需要开展RDL重布线。RDL重布线是在玻璃基板表面制备厚铜线路网络，将各个TGV通孔的信号重新分配、引出，实现芯片之间的互联。该工序重点关注整片基板表面铜层厚度均匀性、低翘曲度、高平整度，处理对象以平面结构为主，无需处理高深微孔。TGV通孔完成孔内金属化，实现垂直导通之后，后续需要开展RDL重布线。RDL重布线是在玻璃基板表面制备厚铜线路网络，将各个TGV通孔的信号重新分配、引出，实现芯片之间的互联。该工序重点关注整片基板表面铜层厚度均匀性、低翘曲度、高平整度，处理对象以平面结构为主，无需处理高深微孔。

通俗理解：墙体的深井已经打通，RDL重布线是在墙体正反表面铺设信号线路，把一个个 “井口” 相互连通。

关键认知：TGV孔内种子层镀膜与RDL表面布线，二者技术诉求完全不同。TGV‑PVD重在让离子进入深孔，并不擅长制备微米级超厚表层铜；面向RDL的 PVD工艺重点攻克平面厚铜均匀性，无法兼顾高深通孔内壁镀层覆盖，二者不能互相替代。

常规PVD

通用性强，但存在明确场景局限

常规PVD在刀具、模具、普通平面零部件领域已经实现大规模成熟应用。但应用在玻璃先进封装领域，会暴露明显短板：

用于TGV通孔：只能依靠加厚膜层，带来翘曲、堵孔、效率低下等问题，很难达到量产良率；

用于RDL厚铜布线：沉积厚铜时应力大，整片基板的均匀度、平整度很难满足芯片封装严苛指标。

三者工艺维度对比

玻璃基板互连完整工序链路

玻璃基板制备TGV微小通孔；

TGV‑PVD：通孔内壁制备铜种子层，实现基板上下垂直导通；

流转至后道RDL重布线工序，完成表面信号互联。

写在最后

玻璃基先进封装是一套多工序协同的复杂体系。行业内普遍存在一种误区：期待一套 PVD方案，同时解决孔内种子层和表面重布线两大需求。但量产的核心不是简单 “把膜镀上”，而是匹配不同工序的核心诉求：通孔镀膜需要离子定向抵达深孔内部；表面布线追求厚铜、低应力、整片均匀。两道工序优化方向截然不同。厘清工艺边界，更有利于项目前期方案评估和风险预判。艾瑞森已建成TGV玻璃通孔种子层PVD量产产线，专注于通孔金属化工艺与装备落地。

来源：艾瑞森官微，侵删

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时间	演讲议题 Thematic Report	演讲嘉宾 Guest speaker
10:00-10:20	铜浆增材制造玻璃TGV电路板技术 Copper Paste Additive Manufacturing Technology for Glass TGV Circuit Boards	华中科技大学温州先进制造技术研究院/温州卓联电子材料有限公司研究员/CEO 李运钧 Li Yunjun,CEO,SUPER ELECTRONIC CONNECTION/Researcher,WZ AMI OF HUST
10:20-10:40	核心终端产品芯片方阵以及AI核心芯片高端封装解决方案 Core Terminal Product Chip Matrix & High-End Packaging Solutions for AI Core Chips	江苏芯德半导体科技股份有限公司张中副总经理 Zhang Zhong, Deputy GM,Jiangsu Silicon Integrity Semiconductor Technology
10:40-11:00	SCHMID Solution for Glass Substrate manufacturing	SCHMID迅得科技（广东）有限公司 Laurent Nicolet
11:00-11:20	TGV激光诱导孔、刻蚀孔与金属化之非破坏性检测 Non-Destructive Inspection System for TGV Laser Modification, Etching, and Metallization	蔚华电子科技(上海)有限公司执行长杨燿州 Paul Yang,CEO,Spirox Corporation
11:20-11:40	蓝星有机硅IGBT/SiC功率模块封装解决方案 Bluestar Silicones IGBT/SiC Power Module Packaging Solution	蓝星有机硅资深电子胶技术服务工程师曾静 Zeng Jing, Senior Electronic Adhesive Technical Service Engineer, Bluestar Silicones
11:40-12:00	面向光互连应用的离子交换玻璃基光波导技术 Ion-Exchange Glass-Based Optical Waveguide Technology for Optical Interconnect Applications	浙江大学副教授郝寅雷 Hao Yinlei, Associate Professor, Zhejiang University
12:00-13:40	中午休息
13:40-14:00	先进板级扇出封装创新与应用 Innovation and Application of Advanced Panel-Level Fan-Out Packaging	深圳中科四合科技有限公司赵铁良市场总监 Zhao Tieliang,Marketing Director,SiPTORY
14:00-14:20	先进封装用玻璃基TGV金属化及复合铜填孔解决方案	深圳市赛姆烯金科技有限公司总经理陈伟元 Chen Weiyuan,President,Thumb Graphene Metallization
14:20-14:40	先进封装TGV和RDL一站式量检测方案 One-stop quantitative inspection solution for advanced packaging TGV and RDL	中电科风华信息装备股份有限公司市场部产品专家刘明辉 Liu Minghui，Market Department Product Expert，CECFL Information Technology Co., Ltd.
14:40-15:00	先进封装基板玻璃原片的机遇与挑战 Opportunities and Challenges of Glass Substrates for Advanced Packaging	山东力诺医药包装股份有限公司研发总监张海鹏 Zhang Haipeng, R&D Director, Shandong Linuo Pharmaceutical Packaging Co., Ltd
15:00-15:20	中场休息
15:20-15:40	先进封装C2W混合键合工艺的清洗技术的发展和在玻璃基板上的应用 Development of Cleaning Technology for Advanced Packaging C2W Hybrid Bonding Processes and Its Application on Glass Substrates	杭州沐芯联科技有限公司创始人严宏教授 Professor Yan Hong,Founder Muxinlian Technology
15:40-16:00	议题待定 TBC	天津巽霖科技有限公司 Xunlin-Tech
16:00-16:20	TGV 通孔内壁磁控溅射金属种子层的高能脉冲电源选择 Power Supply Selection for HiPIMS Deposition of Metal Seed Layers in TGV Through-Holes	新铂科技（东莞）有限公司/哈尔滨工业大学田修波 CTO、教授 Xiubo Tian, CTO and Professor, at Xinbo Technology (Dongguan) Co., Ltd. and Harbin Institute of Technology.