SK海力士引入英特尔EMIB，欲打破台积电CoWoS垄断格局

电子发烧友网报道（文/黄山明）就在最近的公开活动上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee正式披露了下一代HBM的封装路线图，宣称将引入英特尔的EMIB技术，并从当前的2.5D封装逐步向3D集成演进。

目前双方合作已进入量产测试阶段，重点验证HBM与EMIB结合的可靠性。而SK海力士此举，也被视作摆脱对台积电CoWoS单一依赖的重要一步。

引入英特尔EMIB

SK海力士自HBM3时代起便采用自研的MR-MUF（模塑底部填充）工艺进行HBM内部堆叠，并在HBM3E上将堆叠层数提升至12层。2026年CES上，SK海力士首次展示了基于MR-MUF工艺的16层HBM4样品，标志着该技术达到新的里程碑。此后，HBM4成品塔被送至台积电，通过CoWoS工艺与GPU等逻辑芯片进行系统级2.5D封装，最终形成AI加速器模组。

这也让SK海力士的HBM产品大受欢迎，为进一步提升市场份额，SK海力士2026年的HBM市占率目标定在54%。但问题来了，尽管台积电的CoWoS封装技术占据了全球2.5D先进封装超过85%的份额，但其中超60%的产能被英伟达一家独占。

这意味着，包括SK海力士在内的所有HBM供应商，其高端HBM产品的出货节奏和规模，完全受制于台积电CoWoS产能的排期和分配，这对一家年营收数百亿美元的存储巨头来说是不可接受的。

从技术角度来看，HBM4的2048-bit接口、12颗HBM 、大型GPU，所需中介层面积已接近CoWoS-S的物理极限。虽然CoWoS-L可以扩展面积，但其工艺复杂度和成本显著高于CoWoS-S。

而EMIB本身就是“局部硅桥”架构，不需要全尺寸硅中介层。硅桥只放在芯片边缘互连区域，基板其余部分用有机材料。这意味着可以不受光罩拼接次数限制；封装尺寸可扩展至120×120mm以上；硅桥晶圆利用率可以到90%，远高于CoWoS-S的60%。

更重要的是，越来越多的SK海力士重要客户例如谷歌、Meta等，正在考虑或者已经使用英特尔代工服务来制造其AI芯片。

如果这些客户的逻辑芯片采用英特尔代工，那么其系统级封装自然会更倾向于使用英特尔自家的EMIB技术。SK海力士必须确保其HBM产品能无缝集成到客户的封装生态中，否则就可能失去这些关键客户。因此引入EMIB，也是为了适配客户的供应链选择，从而锁定未来的订单。

同时在SK海力士公开的路线图上，也表明其远期目标是实现HBM与逻辑芯片的3D集成（直接堆叠），恰好英特尔的Foveros Direct 3D堆叠技术与EMIB在系统级封装层面天然衔接。提前与英特尔合作，等于提前为下一代3D集成技术进行测试和积累，确保在技术转型时不掉队。

值得一提的是，2026年2月份，三星通过采用全产业链自研的模式，也就是通过自有封装加上4nm Base Die已经率先向英伟达交付了HBM4，这对SK海力士而言是一个巨大的冲击。如果SK海力士能够构建以台积电为主、英特尔为辅、自研为核心的多元组合，不仅能应对当前产能危机，还能为未来3D集成铺路，以应对三星的竞争压力。

市场开始走向多元竞争，重塑先进封装生态

随着SK海力士开始引入英特尔EMIB，势必会给当前的先进封装市场造成巨大冲击。过去市场中基本没得选，大多数还是得选择台积电，不过随着英特尔的加入，未来可能将变成高端极致性能走CoWoS、大规模量产/英特尔生态走EMIB。

有意思的是，面对客户可能分流的压力，台积电也在近期被曝正与景硕科技合作开发对标EMIB的硅桥封装技术，这预示未来将不再是EMIB或者CoWoS的简单二选一，而是多种先进封装技术融合与竞争并存的新格局。

更何况，CoWoS也并非是被取代，而是在HBM4时代从过去的唯一选择，变成了如今的最优选择。

不过需要说明的是，EMIB并非新技术，英特尔已经使用了十年左右，但过去基本只服务于英特尔自己产品，例如FPGA、Meteor Lake等。而之所以没有第三方使用，原因其实很简单，因为没有第三方大规模量产验证过。

而SK海力士作为全球HBM市占率第一的厂商，愿意将EMIB纳入验证流程，算是为英特尔“续命”了。这对于英特尔而言，封装业务有望获得其他厂商跟进的希望。

当然，之所以在如今才开始决定引入EMIB，也是因为正好赶上了一个关键节点。SK海力士的HBM4直到2025年9月才完成开发并启动量产，2026年才开始全面放量。先进封装的导入必须与存储芯片本身的成熟度同步。在HBM4本身尚未稳定前，贸然切换封装方案风险极大。

并且，EMIB与HBM的结合并非即插即用。从2025年5月媒体曝光双方开始研发测试，到2026年8月在Hot Chips上正式公布路线图，中间经历了约15个月的良率爬坡和可靠性验证。特别是混合键合等新技术用于HBM堆叠，需要解决热应力、对准精度等工程难题，这无法一蹴而就。

更重要的是，在HBM3E向HBM4切换的窗口期，SK海力士仍需保障现有产品的交付。只有在HBM4量产步入正轨后，才有资源将重心转移到新一代封装技术的规模化验证上。因此，现在的“官宣”实际上是技术成熟与产品换代两个时间节点重合的结果。

从中期来看，随着英特尔封装产线（如马来西亚）逐渐成熟，EMIB可能开始承接对产能灵活性要求高、或明确采用英特尔生态的客户的部分量产订单。但这部分量预计仍远小于CoWoS的体量。

同时台积电自身也在积极扩张CoWoS产能，目标是在2026年实现33%的增长。随着英特尔封装产能的逐步释放和台积电的扩产，最顽固的封装产能瓶颈有望在此阶段开始缓解。

而从远期来看，无论是EMIB还是CoWoS，都属于2.5D封装。长远来看，行业目标是实现HBM与逻辑芯片的3D集成。混合键合等下一代技术将成为新的竞争高地。EMIB作为从2.5D过渡到3D的桥梁，其历史使命可能在未来完成。

当前方案也可能被整合或替代，未来的封装竞争焦点将转向混合键合等更先进的技术，EMIB和CoWoS都可能演进或被整合到新的3D封装平台中。

总结

此次SK海力士愿意给英特尔EMIB一个机会，这不仅为自身供应链增加了安全冗余，也有助于制衡台积电的议价权。至于未来，EMIB与CoWoS均可能演进或被整合至新一代3D封装平台中。

SK海力士引入英特尔EMIB，欲打破台积电CoWoS垄断格局图1

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