铠侠盖新厂,主攻高端NAND

半导体芯闻 2026-08-27 18:28
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存储大厂铠侠正于日本北部岩手县的生产基地兴建新晶圆厂,借此扩大产能,以应对AI带动的持续存储需求,这将是铠侠在当地兴建的第三座晶圆厂。


彭博引述知情人士报道,新厂将生产铠侠最新的高密度3D闪存芯片,专为处理AI服务所产生的海量工作负载而设计。铠侠已于上个月开始出货此类堆叠式NAND芯片,即第十代BiCS闪存。


知情人士指出,铠侠与闪迪(SanDisk)将向日本政府申请补贴。日本政府近年持续向台积电、索尼集团及美光科技等企业提供财政支持,鼓励企业扩大在日本的芯片产能。


铠侠计划于周四晚间稍早公布扩建方案,《日本经济新闻》此前已率先报道相关消息。铠侠控股发言人拒绝置评。


这项与制造伙伴闪迪联手推进的投资案,正值铠侠面临日益紧迫的增产压力之际;为了满足通过超长约锁定、长达数年的庞大需求,该公司不得不全力扩充产能。与此同时,韩国竞争对手也大幅提高投资规模,中国的长江存储也持续扩大市场份额。


作为数据中心关键零部件的存储与存储器价格正全面攀升,已对从英伟达(Nvidia)到汽车制造商与移动设备厂商的利润空间造成压迫。英伟达高管此前在财报业绩会上曾警告,供应紧张以及存储成本上扬已对毛利率带来压力。


铠侠首席执行官太田博雄与闪迪首席执行官大卫·格克勒(David Goeckeler),将于周四下午拜会日本首相高市早苗。


铠侠计划在岩手厂生产用于数据中心的高端NAND芯片;另一座主要生产基地三重县四日市厂,则将聚焦智能手机等消费性产品所使用的芯片。



参考链接

https://news.cnyes.com/news/id/6588398


(来源:钜亨网)

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