据《日经新闻》8月27日报道，日本NAND闪存半导体公司铠侠控股计划投资1万亿日元（约合422亿元）新建一座存储器产品制造厂。
报道称，铠侠高管将于当日前往首相官邸宣布该建设计划。
此前，铠侠社长太田博夫在去年6月举行的投资者说明会上也曾提及，新工厂的建设“已开始讨论”，预计将于2029年后投产。
铠侠计划在该工厂生产“NAND闪存”。
铠侠目前拥有两大半导体生产基地：位于三重县的四日市工厂和位于岩手县的北上工厂。
新建工厂计划建在北上工厂内，将成为铠侠在岩手县的第三家制造工厂。
该报报道称，预计日本经济产业省的补贴也将用于该项目建设。
市场研究公司Counterpoint Research的数据显示，今年第二季度，铠侠(Kioxia)的NAND闪存出货量排名第四。三星电子位居榜首，SK海力士排名第二，长江存储(YMTC)排名第三。
尤其值得注意的是，由于SK海力士近期已成为铠侠的实际最大股东，两家公司的合作备受关注。
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