下一代EUV光刻机，ASML披露

微影设备龙头艾司摩尔(ASML)今(9/1)日于SEMICON Taiwan 2026先进制程科技论坛释出High NA EUV最新进展，目前全球已有4家客户完成共10台High NA EUV装机并投入运作，另有3台正在出货及装机中，全球EXE系统累计曝光晶圆数已突破135万片。ASML指出，High NA EUV正迈向高量产（High Volume Manufacturing；HVM）阶段，并已首度应用于高量产逻辑产品，成为先进制程持续微缩的重要技术平台。

ASML表示，经认证的EXE:5200B在验收测试中，生产力已达每小时135片晶圆（WPH），具备支援高量产的能力；High NA系统在机台间叠对精度（overlay）、对焦及机台稳定性方面也持续改善。目前全球High NA EUV机队可用率（fleet availability）已提升至84%，后续目标为93%。公司也持续将既有NXE平台累积的经验导入EXE，包括强化诊断能力及避免相同问题重复发生，以提升系统稳定性。

在制程应用方面，High NA EUV采用0.55 NA，可透过单次曝光取代较复杂的多重曝光制程，在持续缩小线距的同时，降低先进制程复杂度及成本。 ASML指出，High NA除已跨入高量产逻辑产品应用，在2D DRAM微缩方面，其成像能力亦可支援未来最多5个制程节点的技术延伸。

High NA也将带来新的晶片设计空间。 ASML表示，更高的解析能力除有助提升逻辑单元密度、支援逻辑制程持续微缩，也可优化互连层布线（interconnect routing），有机会降低所需金属层总数。至于High NA采半曝光视场（half field）所衍生的挑战，则可透过175 µm拼接补偿区域增加应用弹性；DRAM应用方面，仅特定采用奇数列设计的晶片需要进行拼接。

生产力方面，ASML将从EXE:5200B持续推进至下一代EXE:5400E，透过提升EUV光源效能、晶圆及光罩搬运效率等方式进一步拉高产出。依技术路线图，公司目标在本世代结束前，将EXE系统验收测试生产力由目前每小时135片提升至180片晶圆，持续改善High NA EUV导入量产的经济效益。

ASML指出，公司已建立0.55 NA EUV长期技术路线图，预计High NA EUV可提供超过10年的稳定平台架构，并持续透过解析度、生产力及设计弹性的提升延伸系统能力。随客户使用量及全球装机数增加，High NA EUV正由技术验证逐步跨向实际量产，支援未来先进逻辑及记忆体制程微缩需求。

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