三星电子揭晓了其突破存储技术瓶颈的“CUBE”战略。该计划旨在通过垂直扩展存储容量、优化逻辑与存储的布局等措施，巩固其在人工智能（AI）时代存储技术领域的领先地位。
三星电子DS事业部存储业务部产品规划负责人兼高级副总裁崔章硕（Choi Jang-seok）在9月1日于中国台湾台北举行的“存储技术高管峰会”上发表主题演讲时表示：“我们将通过提升存储容量、利用率、带宽以及功耗和散热效率，巩固我们在存储技术领域的领先地位。”
“存储技术高管峰会”是国际半导体设备与材料协会（SEMI）主办的“2026台湾半导体展”的预热活动之一。该峰会汇聚了全球半导体公司的代表，共同探讨下一代存储技术和市场战略。首先，关于扩展内存容量的策略，崔章硕表示：“我们将不再受限于印刷电路板（PCB）的面积；相反，我们将通过垂直扩展来提升内存容量，而无需增加电路板的表面积。” 这意味着他们计划通过在有限区域内垂直堆叠半导体的3D结构来实现人工智能系统所需的大容量内存。
他强调，3D堆叠技术的核心并非仅仅是堆叠内存。崔章硕解释说：“3D的关键不仅在于堆叠，还在于如何利用每一层。” 他补充道：“三星电子正在优化逻辑和内存的布局，以消除数据处理延迟。”
他还重点介绍了用于提升带宽的垂直连接技术。崔章硕表示：“通过大幅缩短芯片之间的距离，我们可以形成一条‘垂直高速公路’，从而显著提升带宽。” 这意味着他们计划通过减少数据传输距离来确保人工智能加速器所需的处理速度。
针对功耗和发热问题，他提出结构效率是解决方案，引起了广泛关注。崔章硕强调：“3D技术的最终目标是降低传输单个数据位所需的能量。”他补充道：“三星电子正通过提升结构效率来最大限度地提高每瓦性能。”
基于这一CUBE战略，三星电子宣布正在加速开发下一代存储技术，例如“HBM5”、“zHBM”和“zNAND-O”。
首先，目前正在开发的HBM5的目标是性能比HBM4E提升一倍，每瓦性能提升20%。此外，该公司计划通过降低20%的热阻来减轻高性能AI系统的功耗和发热负担。
zHBM的开发目标是性能比HBM5提升八倍，每瓦性能提升三倍，同时将热阻降低75%至90%。该公司还发布了下一代存储设备zNAND-O。 zNAND-O 的位密度是 DRAM 的 10 倍，能够容纳大型语言模型 (LLM) 所需的大量数据，同时其读取带宽和能效比现有 NAND 闪存高出 7 倍。三星电子计划于 2028 年开始供应 zNAND-O 样品。
三星电子计划凭借其技术竞争力以及业界最大的产能，进一步拓展人工智能内存市场。据市场研究公司 Counterpoint Research 的数据显示，今年第二季度，三星电子在全球 DRAM 市场营收排名第一，市场份额为 39%。同期，SK 海力士的市场份额为 26%，美光的市场份额为 25%。
根据 TrendForce 的数据，三星电子在 NAND 闪存市场也占据领先地位，市场份额为 29.3%。受人工智能服务器需求增长带动企业级固态硬盘（SSD）销量增加等因素推动，三星电子营收较上一季度增长70.7%。三星电子解释说，这体现了其涵盖DRAM、NAND闪存和SSD等广泛内存产品组合的竞争力。
此外，三星电子在产能方面保持着业内领先地位。市场研究公司Omdia预测，三星电子今年基于300mm晶圆的DRAM年产能将达到约817.5万片，超过SK海力士的约666万片和美光的约360万片。在NAND闪存方面，三星电子今年的晶圆产量预计也约为477万片，远超SK海力士和Solidigm的约279万片。
三星电子表示：“我们将依托自身的生产基础设施和广泛的产品线，迅速响应市场需求，产品范围涵盖通用DRAM和NAND闪存，以及HBM等高价值AI内存和企业级固态硬盘。”
韩中工商联盟总会成立于2008年7月20日，由韩国山东商会更名，成员包括中韩两国企业家、政治家、科研专家学者共同发起成立的国际性经贸合作组织。
总会旨在推动中韩两国在经济、科技与产业领域的深度合作与交流，致力于打造高层次、多维度的国际合作平台，促进资源整合与产业协同发展。
在重点发展领域方面，总会积极布局高科技产业板块，涵盖生物医药、人工智能（AI）、半导体与存储等前沿领域。围绕三星电子与SK海力士等全球领先企业的产业资源，推动内存、芯片及相关技术的合作与流通，并协同中国区域内的授权代理公司与供应链体系，促进中韩半导体产业的高效对接与合规发展。
同时，总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源，为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持，持续提升中韩经贸合作的深度与广度。
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