NAND需求,前所未见,铠侠飙升

半导体芯闻 2026-09-04 17:52
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AI带动存储需求持续爆发,NAND Flash正迎来前所未有的增长周期。铠侠(Kioxia)近日举行技术说明会,首次重点展示面向AI服务器的高速NAND解决方案,希望以CXL内存模块切入部分DRAM市场,引发资本市场关注。


截至4日上午,铠侠股价上涨约4%,报53,720日元,年内累计涨幅已超过415%,成为今年日本半导体板块表现最强势的个股之一。


铠侠负责存储技术的松寺克树在会上表示,NAND Flash的需求正以前所未见的速度增长。随着生成式AI快速普及,数据中心对于大容量、高带宽、低成本存储的需求不断攀升,传统DRAM已难以独自承担AI时代的内存扩容任务。


此次发布的核心产品是面向AI计算的CXL内存模块。该方案利用CXL(Compute Express Link)高速互连协议,将NAND Flash构建为可扩展内存,可显著提升数据读取效率,并已开始向客户开放性能评估。


在AI服务器中,DRAM负责高速计算数据的实时处理,而NAND则承担海量数据存储。虽然DRAM速度更快,但容量扩展成本高、价格昂贵,正逐渐成为AI数据中心建设的重要瓶颈。铠侠希望通过CXL模块,让部分原本依赖DRAM的容量需求转移至NAND,在兼顾性能的同时大幅降低成本。


据铠侠介绍,相比传统方案,CXL模块可将数据读取延迟缩短至十分之一以下,整体性能更接近DRAM。若服务器采用该方案替代部分DRAM,可实现总容量提升约2倍、系统性能提升约30%。


除了技术布局,铠侠也同步加快产能扩张。8月27日,铠侠与Sandisk宣布,在获得日本政府补贴支持的前提下,计划未来六年累计投资约5万亿日元(约310亿美元),持续扩建三重县四日市工厂与岩手县北上工厂的生产设备、基础设施及先进制造能力。


其中,铠侠还将于北上工厂建设第三座晶圆厂K3,作为3D NAND BiCS FLASH的新产能基地。该厂位于已于2025年投产的K2厂房南侧,目标于2029财年正式投产,进一步满足AI时代持续增长的NAND需求。


(来源:内容来自半导体芯闻综合

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