新品发布丨银河微电发布1200V SiC MOSFET系列新产品

前言：

近日，常州银河世纪微电子股份有限公司与复旦大学与联合举办SiC MOSFET新品发布会，正式推出三款1200V碳化硅功率器件。此次新品亮相，是双方近三年产学研深度协同、全链条联合攻关的重磅阶段性成果。团队聚焦SiC功率器件封装设计、核心工艺、性能优化、可靠性验证及产业化应用开展系统性研发，实现从技术研究走向工程应用、样品开发迭代为量产产品、科研成果转化为产业价值的全方位突破，为国产SiC器件规模化落地、高端化突破注入强劲动能。

三款新品齐发，多场景覆盖高端功率应用

本次发布的三款1200V SiC MOSFET新品，针对性适配高功率、高速开关、小型化高密度等不同行业需求，构建起多元化、场景化的国产SiC封装产品矩阵。

TO-247-3L系列

核心规格：1200V、76A、32mΩ

该产品主打高功率、高稳定性应用场景，广泛适配新能源汽车、大功率电源、工业功率电子等领域。研发团队对芯片互连结构、整体封装方案、生产工艺进行全方位优化，顺利完成结构建模、样品制备及全维度性能评价，性能指标对标行业主流高端产品，可满足工业及车载高负荷工作需求。

TO-247-4L系列

核心规格：1200V、76A、32mΩ

同款高压大电流规格，搭载Kelvin源极专属设计，有效隔离驱动回路与功率回路，大幅降低寄生参数干扰，完美适配SiC器件高频、高速开关的核心特性。目前，该产品已顺利通过第三方权威可靠性验证，具备成熟的定型条件和商业化导入能力，可为高端功率变换设备提供高性能、高可靠的国产替代解决方案。

QFN 8×8系列

核心规格：1200V、76A、40mΩ

聚焦行业小型化、高频化、高功率密度的发展趋势，这款QFN封装新品突破传统封装体积限制。团队创新融合无压银烧结先进连接技术，针对性优化封装结构、热管理系统与长期可靠性，为SiC功率器件表面贴装、高密度集成提供全新技术路径与产品方案，适配轻量化高端功率设备应用场景。

成果全面落地，打造产学研完整生态链

论文、专利、标准发布

三年深耕攻坚，双方不仅实现多款新品成功发布，更构建了从科研创新到产业落地的完整生态链条。目前，车规级TO-247系列产品已成功调试通线、具备量产能力。在产品研发迭代的同时，团队同步凝练核心技术成果，形成学术论文、核心知识产权、行业标准多维成果体系，实现技术创新、理论沉淀、行业赋能同步推进。

除此之外，本次校企合作也搭建起完善的人才共育平台。通过常态化技术培训、双向技术交流、产业需求对接，打通高校科研人才培养与企业产业实践的壁垒，实现科研创新、工程落地、人才培育深度融合，为国内半导体行业储备优质核心人才。

科研、产业与人才培养协同推进

校企合作为人才共育搭建平台，围绕 SiC 器件相关技术开展多场培训交流，双向互通技术方法与产业需求，实现科研、工程实践与人才培养协同发展。

携手深耕未来，助力国产SiC产业发展

本次三款SiC MOSFET新品的发布，是双方三年联合攻关的成果答卷，更是长期深度合作的全新起点。未来，银河微电子与复旦大学将持续深化第三代半导体领域产学研合作，不断完善成果转化、专利布局、标准制定、人才培养一体化创新机制。双方将以技术创新为核心，持续丰富国产SiC产品矩阵、提升产业化能力，助力国内第三代半导体产业自主可控、高质量发展，加速高端功率半导体国产化替代进程！

【关于银河微电】

常州银河世纪微电子股份有限公司是一家专注于半导体器件研发、芯片设计与制造、封装测试、销售及服务为一体的国家级专精特新小巨人企业。具备IDM模式下的一体化经营能力，是国内首家成为AEC国际汽车电子协会会员的半导体分立器件制造商。公司产品涵盖功率器件芯片、MOSFET、IGBT、IPM、SiC器件、GaN器件、保护器件、整流器件、小信号器件、光电器件、模拟IC等，可为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案，满足客户一站式采购需求。产品广泛应用于人工智能、汽车电子、能源动力、工业控制、智能家居、网络通信、计算机及周边设备等领域。

公司于2021年1月27日在上交所上市，股票代码为688689，诚邀各界伙伴携手聚力、共创共赢，共赴辉煌！