长鑫存储加速扩产，剑指全球DRAM第一梯队

【科技纵览】中国DRAM龙头长鑫存储的扩张步伐显著提速。据行业消息披露，该公司已着手推进大规模设备投资，近期针对上海新建晶圆厂向供应链伙伴发出招标邀请，并进一步细化了多地新厂的扩建蓝图。

目前，长鑫在合肥二期及北京一期基地已实现量产，月产能维持在20万至25万片区间。业界预测，到2026年底，这一数字有望突破30万片大关。值得注意的是，仅上海新厂投产后，预计就能贡献超过10万片的月产能。

除上海外，长鑫的时间表排得满满当当：计划2027年上半年启用合肥新厂，下半年最快启动北京新厂，随后在2028年上半年再开合肥扩建厂区。若这些投资顺利落地，2026至2028年间，每年将稳定新增7万至8万片产能。

长远来看，其总产能目标直指每月60万片以上，这将使其规模逼近当前市场霸主三星电子（约70万片/月）与SK海力士（约60万片/月）。半导体设备商分析指出，存储需求激增是驱动此次激进扩产的核心动力，全球DRAM竞争格局或将因此重塑。