韩媒两篇小作文“拉踩”长鑫：4个里3个是废品！

查询韩媒体官网信息，连续两天发布了文章谈长鑫存储。

一篇文章表示长鑫存储已启动第四代高带宽内存HBM3的试产，但初期良率停留在25%水平。相当于每产出 4 颗芯片，就有 3 颗报废，远低于行业稳定量产 80% 的良率门槛。

同时高调吹捧SK海力士同款产品，称SK海力士自 2022 年已经实现 HBM3 规模化量产，良率突破 90%。半导体行业公认的量产黄金良率为80%，长鑫存储目前仅达到其三分之一。

韩媒将问题根源指向TSV硅通孔技术。TSV 是 HBM 芯片的核心技术，需要在超薄晶圆上制作数千个微米级垂直通孔，孔位偏移、填充缺陷都会直接造成芯片整体报废，工艺积累门槛极高。

报道指出，长鑫存储用于HBM的G4工艺制造的普通DRAM本身没有大问题，真正的瓶颈在于TSV。

同时援引业界数据称，长鑫存储每颗芯片的TSV数量约3000个，而三星HBM2超过5000个，SK海力士HBM3超过8000个。韩媒借此强调韩企在TSV工艺上的领先。

韩媒还引述业内人士称，TSV的工艺诀窍不是一朝一夕能积累的，三星和SK海力士在这方面已有4至5年的领先优势。

报道也承认，长鑫存储正将少量HBM样品供应给寒武纪等中国企业，在持续改善良率的同时推进商业化进程。

不过，有熟悉长鑫存储情况的半导体设备行业高管透露，长鑫8层堆叠HBM3产品的前端工序良率约30%，其中能通过后端工序最终检测的为七成左右。

另一篇文章则说长鑫存储 LPDDR 手机内存工艺相比韩国头部企业存在大约 3 年差距。报道提到，三星、SK 海力士已经迭代至 10nm 级 DRAM 先进节点，而中国厂商当前主力停留在 16nm 工艺区间，在手机高端移动内存制造上仍有追赶空间。

但与韩媒侧重于技术短板的报道形成鲜明对比的，是长鑫存储最新交出的盈利成绩单。

根据 QUICK FactSet 统计数据，2026 年第二季度，长鑫存储息税前利润率达到 82%，高于 SK 海力士 76%、三星电子半导体业务 70%，成为该季度全球利润率最高的存储芯片厂商；当期营收同比增幅接近 10 倍，在全球主流存储大厂当中增速排名第一。

与此同时，长鑫存储营收同比增长约10倍，在长鑫存储、三星、SK海力士等主要存储厂商中，营收增速排名第一。

随着 AI 算力爆发，三星、SK 海力士、美光将大量产能倾斜至高附加值 HBM 产品，传统 DDR5 通用 DRAM 产能被压缩，市场供给收紧，DRAM 合约价格持续大幅上涨。

长鑫存储现阶段产品以通用 DRAM 为主，直接受益现货涨价红利；而韩系巨头 HBM 多采用长期大客户锁价订单，对现货价格波动敏感度更低，也造成了阶段性利润率的分化。

HBM 属于全新技术赛道，即便是国际大厂，早期研发试产阶段同样经历过低良率阵痛。长鑫存储 HBM3 目前还处在样品送样、小批量试产周期，并未进入大规模商业出货，试产良率偏低属于追赶过程中的正常现象，不代表最终量产水平。普通 DRAM 领域，长鑫已经完成 DDR5、LPDDR6 产品落地商用；但 HBM 堆叠、极致先进工艺节点，依旧是国产存储接下来要攻克的难关。