星钥半导体披露AR微显与Micro LED光互连布局

Micro LED 当前同时受到两个方向的关注：一端是消费级 AR 眼镜对微显示屏的需求，另一端是 AI 算力带动的 CPO、短距高速互联需求。

近期，星钥半导体在CIOE 2026首次设立展台，并披露两条业务线的进展：AR 微显示，按“单色先行、双色过渡、全彩并行”推进，单片全彩工程样品计划2027年3月交付；Micro LED光互连方面，在CIOE展出“星掣”外延片与 CoW 芯片原型，单芯片聚合带宽目标 Tb/s级。另外，星钥半导体在CIOE同期举办的行家说 AR 产业论坛提出其对产业阶段的判断和规划。

产品节奏：单色先行，双色过渡，全彩并行多路线

目前市面上已量产的轻量化 AI 眼镜大多采用单绿色 Micro LED 方案。星钥半导体在论坛中提到，单绿并非单纯的技术妥协，而是光波导损耗与整机功耗约束下的折中结果，但终端对波段的需求并不止于标准绿光。

因此，星钥半导体在本次CIOE展出的特色波长单色微显示屏包括 490nm、480nm 等定制样品，面向不同光波导耦合与特种近眼显示场景。波长调谐依赖硅基 GaN 外延能力，通过调整量子阱组分实现光谱迁移，外购标准化外延片较难支撑这类定制需求。

同时，星钥半导体将红绿双色堆叠 Demo 定位为单色与全彩之间的过渡方案：基于混合键合垂直堆叠架构输出两种独立色彩，波长支持动态调节。按企业表述，双色阶段的意义在于完整跑通堆叠、键合与晶圆后处理全流程，暴露良率与可靠性问题，为单片全彩积累工程经验。

面向单片全彩，星钥半导体现场展出 R/G/B+CMOS 垂直堆叠工艺晶圆。按其公开规划，基于该路线的单片全彩工程样品计划于 2027 年 3 月交付；同时并行推进 Xcube 合光与单片堆叠全彩两条路线，给下游终端提供多元化技术选择，分散单一路线带来的产业风险。

星钥半导体在CIOE同期举办的行家说 AR 产业论坛提出其对产业阶段的判断：当前 MicroLED 样机 Demo 数量不少，但制造成本偏高、规模化产品交付能力不足；企业认为问题主要不在原理层面，而在于多数企业缺少大尺寸半导体全链路制造底座、较多依赖外部代工，工艺迭代速度受限。基于这一判断，星钥半导体选择以成熟半导体大产线为基础的 IDM 模式作为其技术路线。

星钥半导体还重点介绍了其面向可量产 MicroLED 的四大技术平台：大尺寸硅基 GaN 平台、高效率双路线红光平台、高精度 Hybrid Bonding 混合键合平台、异质堆叠集成平台，展品均基于该套平台开发。四大平台均搭建在其 8 英寸 IDM 产线之上，这也是星钥半导体能够开展多波长定制、双色堆叠，同步开发光互连器件的基础。星钥半导体表示，仅做后端芯片设计，材料层面调整需要依赖上游供应商；拥有外延到芯片完整链条，可自主调整量子阱、器件结构，响应差异化定制需求。

同源技术开辟第二赛道：MicroLED 光互连

除 AR 显示外，星钥半导体展出了名为“星掣”的Micro LED光互连外延片与CoW（Chip on Wafer）芯片原型。其技术基础与 AR 微显示同源，共享硅基 GaN 外延、晶圆加工、混合键合与异质堆叠能力，不需要另建产线，可通过调整器件结构与设计规则开发光互连芯片。

技术路线上，该产品采用"Wide and Slow"并行阵列架构，区别于传统光通信追求单通道速率最大化的思路，依靠二维高密度发光阵列，以大量中低速通道并行实现聚合带宽。

从星钥半导体给出的三项指标来看，单芯片Tb/s级聚合带宽，适配 AI 算力集群服务器内部、板卡之间海量数据交互的诉求；短距互联场景下理论能效有望达到 1pJ/bit，对缓解 AI 算力中心日益严峻的功耗压力具备重要价值；外延、键合、堆叠工艺与 AR 微显示共用 8 英寸产线，可降低新赛道的产线投入。

不过，MicroLED 光互连整体仍处于器件原型验证阶段。二维发光阵列的器件均一性、调制带宽、与 EIC 驱动芯片的高密度集成、长期可靠性以及配套测试验证体系，均待产业链共同完善。在此背景下，星钥半导体目前的定位是聚焦芯片器件开发，先完成原理验证与阵列样片，再逐步优化均一性、带宽与可靠性，面向 AI 数据中心短距互联与 CPO 共封装光学两个场景，与光通信设备厂商、CPO 方案企业及科研机构开展联合验证。同时 AR 端积累的外延、混合键合、堆叠工程经验，可以持续反哺光互连器件迭代。

总结

结合论坛观点与展会展品，可以梳理出星钥半导体的产品迭代路径：多波长单色优先落地，通过双色堆叠完成工艺验证，多路线并行推进全彩研发，依托同一 IDM 技术底座拓展光互连业务。

星钥半导体认为，AR MicroLED 行业已经不再只以 Demo 演示效果作为评判标准。行业逐步形成共识：样机点亮不等于量产交付，像素微缩与功耗存在固有矛盾；全彩是长期发展方向，产业化需要分步推进，难以一步到位。IDM 全链路模式具备重资产、门槛高的特征，但也带来两方面实际价值：一是性能、良率问题可追溯至外延环节开展迭代，不完全受外协供应链约束；二是具备技术跨场景迁移能力，同一套大尺寸半导体平台，可同时支撑 AR 微显示、光互连器件开发。

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