华卓精科IPO新进展！超精密测控平台支撑国产先进制程突围

电子发烧友网综合报道近日，北京华卓精科科技股份有限公司正式披露科创板首轮审核问询函回复，其第二次冲击上市进入关键审核阶段。公司拟募集资金约35亿元，主要用于超精密测控装备产业化、研发中心建设及补充流动资金。

作为业内少数兼具超精密测控核心技术与多类先进制程半导体设备产业化能力的厂商，华卓精科的产品已广泛应用于40/28/14nm及以下制程集成电路制造产线及先进封装产线，是我国推进半导体供应链自主可控的重要力量。

华卓精科自设立之初即以突破高端半导体设备国际垄断为愿景，先后承担多个国家集成电路重大专项科研任务，成功研制出纳米精度运动及测控系统，在核心算法与系统集成层面实现自主可控。

在此基础上，公司构建了以“超精密控制技术、超精密位移测量技术、超精密机电系统设计技术、超精密制造技术”四大支柱为核心的技术体系，并搭建了平台型产品开发架构。这一架构使公司能够将底层共性技术快速复用于不同工艺环节的设备开发，显著缩短研发周期并形成差异化壁垒。

例如，其超精密位移测量技术不仅服务于光刻机双工件台，还被迁移至量检测设备的晶圆定位模块；而超精密机电系统设计能力则同时支撑了激光退火设备的高温腔体运动控制与键合设备的微米级对准机构。

在产品矩阵方面，公司已形成覆盖整机与关键零部件的完整布局。整机产品包括激光退火设备、晶圆键合设备等，分别服务于热处理与三维集成工艺环节。其中，激光退火设备针对SiC/IGBT功率芯片制造中的激活退火需求，实现了高温均匀性与升降温速率的精准调控，填补了国内空白。

晶圆键合设备则面向HBM高带宽存储芯片与先进DRAM的堆叠封装，支持混合键合工艺，已在头部存储厂验证导入。零部件产品涵盖精密运动系统与静电卡盘等核心功能部件，前者为刻蚀、薄膜沉积、离子注入等设备提供纳米级定位与动态稳定性，后者用于晶圆在真空腔体内的无损吸附与温控，直接影响工艺良率。

从应用场景看，华卓精科的技术与产品深度嵌入当前半导体产业最前沿的制造体系。在逻辑芯片领域，其设备与部件已导入40/28/14nm及以下制程产线，支撑国产先进制程的持续演进。

在存储领域，针对HBM与先进DRAM对高精度键合与热处理的严苛要求，公司提供定制化解决方案。在功率半导体领域，其激光退火设备助力SiC器件性能提升与成本优化。这种跨工艺、跨品类的覆盖能力，源于其平台化技术架构对多样化工况的适应性。

本次35亿元募资将重点用于上述产品的产能扩充与下一代技术研发，以应对日益增长的国产化需求。尽管公司目前仍处于投入期，但其技术成果已在多个关键工艺环节实现商业化落地。

华卓精科IPO新进展！超精密测控平台支撑国产先进制程突围图2

声明：本文由电子发烧友综合报道，转载请注明以上来源。如需入群交流，请添加微信elecfans999，投稿爆料采访需求，请发邮箱wuzipeng@elecfans.com。

更多热点文章阅读

点击关注星标我们

将我们设为星标，不错过每一次更新！

华卓精科IPO新进展！超精密测控平台支撑国产先进制程突围图3 喜欢就奖励一个“在看”吧！