韩国三星晶圆代工部门已将其4纳米制程产能的50%以上，正式分配给第六代高带宽存储器（HBM4）用基础裸片的量产。业界分析，此举是三星为了在2026年下半年扩大对英伟达（NVIDIA）、博通（Broadcom）及超威（AMD）等全球科技巨头的HBM4供应，所展开的前瞻性部署。
市场消息指出，三星电子晶圆代工事业部自2025年年中起，已大幅增加采用三星4纳米（SF4）制程的HBM4基础裸片晶圆投片量。目前三星的4纳米制程生产线正处于满载生产状态，其中HBM4基础裸片的产能比重已高达50%至60%。据悉，三星主要利用位于平泽P2与P3的晶圆代工生产线（S5、S6）量产4至7纳米制程芯片。
为此，三星电子正通过内部的系统LSI（System LSI）及晶圆代工（Foundry）事业部，持续深化与升级基础裸片的技术实力。值得注意的是，三星在HBM4中采用了较竞争对手更为领先的4纳米先进制程来制造基础裸片。作为已进入量产阶段的最新一代高带宽存储器，HBM4未来将搭载于英伟达最先进的“Rubin”架构AI加速卡等旗舰设备中。
三星电子先前已于2026年2月在业界率先启动HBM4的量产出货。虽然在上半年因属于初期量产阶段，出货规模相对有限，但三星计划从2026年第三季起正式启动大规模供应。随着HBM4基础裸片产能持续释放，三星HBM业务有望迎来业绩增长。三星在2026年第二季的业绩说明会中曾明确预测，第三季度HBM4销售额将环比增长3倍以上，下半年HBM4将占公司HBM总收入60%以上。
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