8 月 28 日，第十二届张江高科·芯谋研究集成电路产业领袖大会分论坛在上海张江举办。分论坛分设两场——设备材料零部件分论坛与硅光和算力芯片分论坛，来自半导体产业链各环节的企业代表、专家学者齐聚一堂，围绕最新的产业趋势、前沿技术与市场走势展开深入分享。
有研新材料股份有限公司总经理吕保国在设备材料零部件分论坛上做了题为《稀有稀贵金属特种靶材在集成电路领域的应用》的精彩分享。
稀有稀贵金属含量稀少、提取困难，却凭借优异的导电与耐腐蚀性、独特的力电磁性能与高熔点，成为先进制程集成电路不可替代的关键材料。
吕保国现场谈到一段亲历：2022 年美国推出“芯片与科学法案”，国家曾就“能否反制”征求有研意见，当时提出的建议是：提高稀有金属的资源保障，以此提高大国博弈能力。同时在下游的精加工、深加工产品做好，也是强国之举。
“如今集成电路的春天来了，稀贵金属绝对是它的重要材料保障。”吕保国指出。
与工业级金属相比，半导体用高纯金属靶材对纯净度与均质性要求更高，纯度已从 4N–6N 向 5N–7N+ 演进。薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺之一，靶材是薄膜沉积的“弹药”。
吕保国梳理了靶材在集成电路全链条的应用图谱：先进逻辑走向 2nm，互连材料由铝铜向钴、钌演进，GAA、CFET 与背面供电催生新需求；HBM、3D NAND、DRAM 对钨、钼、钌要求持续提高，ALD Ru/Mo 成为 10nm 以下关键材料；MRAM、PCRAM、RRAM、FeRAM 等新型存储所需的磁性、相变、阻变、铁电膜层，是有研重点方向；先进封装 RDL、TSV/TGV 共同支撑“封装摩尔时代”；铝钪靶应用于 5G/6G 滤波器，铬、钼、钌、钽等则演进至 EUV 掩模。
在制备端，公司围绕金属纯化、低缺陷熔铸、微观组织与晶格取向控制、磁性能调控、Bonding 焊接、精密加工与分析测试形成七项核心技术。典型产品上，高纯钽靶批量供货先进制程与 HBM 客户；高纯钴靶为国内首家、全球第二家垂直一体化制造，7nm 钴靶已于 2023 年公开发布；先进存储用高纯钨及钨合金靶、光掩模用高纯铬靶均系国内首家实现批量供货。公司同时在山东德州建成从原材料到残靶回收、挡板清洗的全链条闭环。
在有研新材料与其他国产厂商的共同努力下，如今国内溅射靶材已基本实现全产业覆盖，国内市场市占率超过 90%，国际市场市占率已超过 45%。
有研新材料股份有限公司隶属于1952年成立的中国有研科技集团公司，2025 年国家大基金二期入股。吕保国在分享中指出：“有研是央企，挣钱得干，不挣钱的也要干。”公司将持续加大对超高纯金属、特种靶材与半导体零部件的投入，为中国集成电路“强芯筑基”提供材料支撑。
