9月29日晚间，长鑫科技对外发布重磅投资公告。公司计划动用超募资金大举扩产、加码研发，两大新建项目合计投入规模创下新高，将进一步夯实自身在内存芯片领域的技术与产能优势。
根据公告内容，长鑫科技将拿出130亿元超募资金，投入全新的技术研发项目。与此同时，公司还将通过增资、借款的方式，向旗下全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司拨付50亿元超募资金，用于建设存储器晶圆后道测试基地二期项目。
两个项目对应的整体投资额分别达到241亿元、108亿元，合计数百亿级别的重磅投入，力度空前。
据长鑫科技介绍，存储行业竞争激烈，技术迭代速度极快，想要长期站稳脚跟、守住核心优势，最关键就是持续更新工艺、迭代产品。当前行业格局多变、技术路线不断演化，只有依靠持续的研发投入，不断推进制程技术升级，才能让自家内存芯片在存储容量、功耗控制、读写速度等关键指标上持续突破、稳步领跑。
此次大规模动用超募资金布局新项目，核心目的就是持续巩固技术领先优势，更快推出适配市场需求、性能更强、性价比更高的存储产品，进一步提升企业核心竞争力，增强企业应对行业周期与市场波动的抗风险能力。
业内熟知，芯片测试是内存芯片生产制造中必不可少的关键一环。测试设备专属度高、配套门槛高，随着长鑫科技产能持续扩张、产品品类不断丰富，依靠外部封测工厂的模式，已经逐渐显现短板，外部测试产能紧张、配套跟进不足的问题愈发突出，有可能拖累整体产能释放。
对此，长鑫科技直言，自建测试产能势在必行。一方面可以彻底解决外部产能受限的隐患，避免测试环节成为产能释放的瓶颈，牢牢稳住供应链自主可控能力；另一方面，自建测试与模组组装基地，能够灵活调配产能、优化生产节奏，有效降低芯片测试环节的综合成本。
除此之外，自建后道测试与组装能力，能够同步打磨自研测试技术、提升整体运营效率，进一步完善企业从芯片研发、制造到测试封装的全链条IDM自研自产体系，全面强化整体竞争壁垒。
