光刻机“双轨时刻”：ASML瞄准未来，俄罗斯解决当下

芯片制造离不开光刻机，光刻机的世界长期由ASML主导。尤其在先进制程领域，ASML的EUV设备是绕不开的门槛。正因如此，光刻机的一举一动都牵动着半导体产业神经。

近期，光刻机领域传出两则新动态：ASML披露下一代Hyper NA EUV技术，继续将先进制程推向极限；俄罗斯完成130纳米光刻机原型验收，试图在成熟制程设备上填补自主缺口。

近期媒体报道，ASML与长期光学伙伴蔡司的工程师联合发表论文，披露了名为Hyper NA的新一代EUV光刻技术。论文称，这项技术有望在大约十年内就绪，能把最小图案特征尺寸做到5纳米，比当前High NA EUV再缩小三分之一以上。

目前ASML的EUV设备主要有两条产品线：NXE系列采用0.33数值孔径，分辨率约13纳米，覆盖7纳米、5纳米、3纳米及2纳米等制程；High NA EUV即EXE系列，数值孔径提升到0.55，分辨率约8纳米，面向2纳米及更先进节点。

Hyper NA是ASML在EUV光刻技术路线上的下一代演进方向，旨在延续现有EUV架构，通过提升光学系统分辨率，进一步缩小芯片电路图案。

设备设计方面，论文提到蔡司已经具备制造Hyper NA所需高精度反射镜的能力，新设备体积预计只比现有High NA EUV略大。现有High NA EUV已经相当于一辆双层巴士，Hyper NA若能在相近规模下提升分辨率，对晶圆厂来说意义不小。另一个优势是光源：Hyper NA可以沿用ASML现有EUV光源，即使未来采用自由电子激光作为替代光源，照明系统设计也不会改变。

不过，Hyper NA尚未进入商业化决定阶段。研究人员也指出，若要继续突破分辨率限制，未来可能需要波长更短的光源，但相关技术仍处于学术研究阶段。客户导入方面，英特尔已开始将High NA EUV用于生产，三星电子与SK海力士计划2028年跟进，台积电预计2030年导入。

俄罗斯方面，近期媒体报道，ZNTC（泽列诺格勒纳米技术中心）与白俄罗斯Planar公司合作开发的130纳米步进式光刻机，已完成第三阶段设计验收。验收证书于2026年8月7日签署，比原计划2026年3月有所延后。该设备用于将集成电路拓扑图形投影转移到直径200毫米的晶圆上，设计制程为130纳米。

这一项目采用193纳米准分子激光器作为光源，强调使用自主研发的激光器、零部件和半导体材料。ZNTC制造了两台激光器原型，并完成掩模版、测试结构、物镜测试台等配套工作，基础工艺调试也已结束。ZNTC负责人表示，目前仅制造出原型，还需进行初步测试并完善基础工艺，2027年计划与用户签订批量供应合同。

俄罗斯此前在光刻机领域基础薄弱。ZNTC在2025年初完成首台350纳米光刻机生产并交付，还开发了设计规范为150纳米的电子束光刻设备。此次130纳米原型验收，被俄方视为微电子行业的重要阶段，证明其具备自主工程能力，并为后续90纳米、65纳米产品线打开道路。

成本方面，俄罗斯工业和贸易部（俄工贸部）为整个光刻机项目拨款57亿卢布，第三阶段试验设计工作成本超过24.6亿卢布。支付给Planar和Lassard的研发费用略超10亿卢布，材料和组件花费约9.129亿卢布，光刻机本身制造成本约5.422亿卢布。作为对比，ASML在1999年推出的130纳米ArF光刻机PAS 5500/950，当时定价约500万至600万美元。

需求端，俄罗斯认为200毫米晶圆上的130纳米制程是主要工作基础，可满足汽车电子、能源、工业控制器、通信和特种系统的关键需求。此前采购的同类外国设备在俄国内保有量约25至40台，考虑到磨损和产线扩展，2030至2032年前总需求估计为15至25台。从原型到产线运营仍有距离，需要可靠性验证、产线兼容性确认以及国家支持。

从光刻机设备角度看，这两条动态恰好对应两条战线。

先进技术领域，ASML继续把EUV往极限推。NA从0.33到0.55，再到Hyper NA目标，分辨率不断提升，服务的是AI、高性能计算、高端手机等对制程要求最高的芯片。成熟线上，俄罗斯从130纳米起步，虽然节点不先进，但面向的是汽车、工业、能源、通信等基础芯片市场，这些需求同样刚性。

两条线并不是替代关系，先进光刻机决定高性能芯片的上限，成熟光刻机保障基础芯片的供给。先进线需要光学、光源、材料、工艺的长期协同；成熟线也需要可靠性、产线兼容和批量供应能力。

ASML的Hyper NA和俄罗斯的130纳米原型，说明光刻机竞争并非单一赛道，而是先进与成熟并行的双轨竞赛。业界认为，未来数年内，先进制程光刻机仍将围绕EUV和更短波长展开，成熟制程光刻机则会在区域供应链中寻找自己的空间。