材料创新与工艺协同共进！2026湾芯展国际半导体材料与晶圆工艺论坛成功举办

本场论坛由宁波江丰电子材料股份有限公司董事长兼总经理边逸军先生主持开场。

▲2026湾芯展国际半导体材料与晶圆工艺论坛“双主线”制造工艺协同全景图

围绕AI算力芯片的“电互连（先进逻辑与CoWoS/HBM先进封装）”与“光互连（硅光PIC与CPO共封装光学）”两大核心突破方向，江丰电子、有研亿金与Soitec展示了从超高纯溅射靶材、微观组织控制到异质集成光子衬底的前沿创新成果。

▲AI算力芯片电互连与光互连材料突破（左：PVD超高纯靶材原子沉积CoWoS硅中介层TSV深孔阻挡层与种子层；右：Photon-SOI/LNOI异质集成光子衬底高速激光波导传输）

宁波江丰电子材料股份有限公司华南区总经理陈浩先生在《AI算力驱动下的晶圆制造材料的机遇与挑战》报告中，围绕算力芯片、光互联及相关制造需求，介绍了超高纯金属材料、溅射靶材与精密零部件的技术布局。他结合高纯铝、钛、钽、铜等材料的提纯与制备实践，阐述材料能力对芯片制造和设备零部件发展的基础支撑作用，并从基础材料制备、超精密制造与检测、特种熔接、超洁净清洗等方面，分享关键材料与零部件协同突破的思路。在2.5D/3D CoWoS硅中介层制造中，江丰电子的超高纯钽（Ta）靶、钛（Ti）靶、铜（Cu）靶、铝（Al）靶、镍钒（NiV）靶与钨（W）靶全面覆盖TSV阻挡/种子层、RDL精细金属互连、背面露铜UBM及DTC深沟槽电容工艺，同时其PVD/CVD/刻蚀机台反应腔体、匀气盘（Showerhead）等精密零部件已成为强劲的第二增长曲线。

有研亿金新材料有限公司技术副总监丁照崇先生围绕《面向先进制程逻辑芯片的高纯溅射靶材组织性能控制》展开分享，结合高纯溅射靶材制备研究，介绍铜、钽、钴等靶材的关键技术。丁照崇先生重点阐述杂质与微缺陷控制、晶粒细化、织构均匀性及焊接可靠性对溅射性能和薄膜质量的影响，并结合先进存储与先进封装应用，介绍钨及钨合金、镍钒等靶材的制备进展。报告同时提出，通过6N–7N原料提纯、靶材制造、应用评价与回收再生的协同，完善高端金属靶材产业链。

SOITEC Microelectronics Pte. Ltd.高级总监张宏亮先生带来《From Silicon to Heterogeneous Platforms: Advanced Substrate Architectures to Scale Next-Era Photonics》主题报告，探讨从硅基到异质集成平台的先进光子衬底架构。报告围绕带宽密度、调制速度与能耗三项关键要求，介绍Photon-SOI、Photon-LNOI及InPOSi平台的技术路径与发展阶段，分析衬底厚度控制、表面质量和机械稳定性对器件性能及制造良率的影响，依托独创的Smart Cut™专利技术（占据全球硅光晶圆95%以上市场份额），为硅光、共封装光学（CPO）及下一代光电子器件的发展提供材料层面的思考。

在晶圆制造全链条中，华润微电子从Fab厂产线需求出发构建四阶段协同验证机制，与盾源聚芯（石英坩埚）、中欣晶圆（大硅片）、应特格Entegris（前道微污染控制）及3M中国（晶圆临时键合与高温保护）共同打通从单晶生长到先进封装的工艺闭环。

▲晶圆制造全工序材料协同（从高纯石英坩埚直拉单晶硅、300mm无缺陷硅片抛光、纳米级分子膜微污染拦截到超薄晶圆紫外激光临时键合与解键合）

华润微电子有限公司润鹏供应链管理部总监周笑骋先生以《晶圆制造中材料的供应链韧性与协同创新》为题，从晶圆厂的实际需求出发，分析材料供应链在安全、效率与质量方面面临的挑战。他指出，材料指标一致并不意味着工艺适用，验证通过也不等于能够持续稳定量产，供应商导入需要综合评估技术能力、质量体系、产能保障与供应链韧性。围绕材料保供与协同创新，报告提出加强产能、质量、供应链及应急协同，通过性能测试、小批量验证、批量验证与量产导入的分阶段路径，推动上下游由单次交易走向长期合作。

宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司副总经理李卫先生以《全球半导体石英坩埚市场及国产化现状分析》为题，从全球需求结构、供应格局与国内硅片产业发展出发，分析大尺寸石英坩埚的市场机遇与国产化路径。报告结合国产大硅片扩产及大尺寸坩埚应用趋势，介绍盾源聚芯在半导体石英坩埚领域的布局与量产进展，并将讨论延伸至上游高纯天然石英砂、合成石英砂等材料环节，提出坩埚国产化仍需与原材料突破、品质稳定性提升及客户验证协同推进，进一步增强产业链保障能力。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司市场经理王艺佳女士带来《深耕成熟特色工艺，大尺寸硅片量产缺陷控制与国产化协同验证》主题报告，围绕晶体原生缺陷、表面形貌、颗粒与金属杂质、翘曲及批次一致性等量产难点，分享晶体生长、切磨抛、超净清洗与外延生长的全流程控制思路，并结合大尺寸硅片及功率器件衬底的应用案例（8英寸稳定产能45万片/月、12英寸总产能规划80万片/月、2025年销量突破1000万片），介绍从需求定义、送样测试到工艺匹配与可靠性验证的协同实践。报告强调，国产材料规模化导入需要技术能力与合作机制共同支撑，通过早期介入、联合研发和测试数据共享，促进材料性能与客户工艺需求有效衔接。

应特格（上海）微电子贸易有限公司先进创新暨技术资深处长陈柏嘉先生以《Enabling Front-End Semiconductor Innovation Through Advanced Microcontamination Control》为题，分享通过先进微污染控制赋能半导体前道创新的技术思路。陈柏嘉先生从颗粒、金属、离子、有机物及水氧等污染来源出发，强调污染控制应覆盖材料生产、包装、运输、输送直至使用点（POU）的全过程，并结合光刻胶处理、刻蚀后残留去除及化学机械抛光（CMP）等场景，介绍工艺、过滤净化与检测量测协同优化的方法，为提升良率与可靠性提供参考。

3M中国有限公司专家金滕滕女士带来《3M在半导体行业中的解决方案》报告，将视角落到晶圆加工与封装过程中的材料应用，重点介绍晶圆临时键合、高温过程保护及抛光垫粘结解决方案。其中，临时键合方案通过UV光固化胶、玻璃载板与光致热解涂层（LTHC）的配合，为薄晶圆加工提供支撑，并实现激光解键合与胶层剥离；耐高温保护胶带则面向传感器保护、封装工艺保护等场景，兼顾耐温、工艺兼容性与洁净移除要求，展示功能材料在复杂制造流程中的应用价值。