苹果携手两大面板厂开发HMO OLED技术

SemiDisplay View 2026-11-04 17:27
11月3日韩媒THEELEC消息,苹果在开发下一代OLED高迁移率氧化物(HMO)技术过程中,正优先评估溅射(Sputtering)沉积方案,最终量产工艺尚未最终敲定。三星显示与LG Display则同步推进溅射与原子层沉积(ALD)两条技术路线的开发。

苹果公司在HMO技术的研发中优先考虑采用现有的溅射工艺。据悉,虽然ALD工艺在薄膜精度和性能控制方面具有优势,但由于ALD工艺设备和材料成本较高,苹果公司正在探索采用成本更低的溅射工艺的可能性。

据了解,HMO技术被视为MacBook、iMac等高分辨率IT类OLED的下一代核心候选技术。当前高端OLED面板普遍采用低温多晶氧化物(LTPO)技术,同时搭配硅基与氧化物半导体驱动方案。若HMO性能达标,可将部分硅基工艺替换为氧化物工艺,简化制造流程,降低生产成本。

三星显示在开发溅射基HMO技术的同时,也在同步验证ALD路线,目前处于大尺寸基板适配验证阶段,核心目标是确认在大基板上能否稳定满足苹果要求的电子迁移率与可靠性标准。据悉苹果已在台湾自有研发中心完成HMO技术的前期评估,随后向三星显示提出了验证8代级大尺寸产线工艺适配性的需求。

LG Display也在6代中小尺寸OLED产线上开发溅射基HMO技术,并同步开展ALD技术研究。去年LG Display曾公开表示,采用ALD工艺制备的氧化物TFT电子迁移率可达约40cm²/Vs,并展示了搭载该技术的OLED样品。但考虑到新增设备的投资压力,公司更侧重沿用现有溅射设备的技术路线。

从技术角度来看,HMO技术的核心作用是提升OLED像素驱动薄膜晶体管(TFT)的性能。传统氧化物TFT的电子迁移率约为10cm²/Vs,HMO的目标是将该指标提升至30~50cm²/Vs;电子迁移率提升后,TFT可承载更大驱动电流,更适配高分辨率、高刷新率的屏幕需求。

作为制程工艺对比,溅射工艺通过等离子体将固体靶材的原子剥离,沉积到基板表面。优势是可直接沿用现有OLED产线的成熟设备,改造成本低,难点在于要同时实现高电子迁移率与长期可靠性,需要对材料组分与薄膜结构做深度优化。

ALD 工艺则是以气态前驱体为原料,实现原子层级的精准薄膜沉积。优势是薄膜厚度与成分控制精度极高,更易保障半导体层的电学性能与稳定性;短板是设备造价高、前驱体原料成本昂贵。

业内人士指出,HMO技术的核心难点不仅是实现高迁移率,更要在成品面板全生命周期内维持性能稳定。

另有行业人士表示:“三星显示与LG Display均将溅射作为优先量产方向,同时保留ALD技术储备。ALD的性能优势已在实验室阶段得到验证,但受成本制约,行业当前更倾向于先推进溅射方案的量产验证。”

   

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