
三星电子会长李在镕正亲自坐镇一项重大半导体项目。李在镕将携同旗下核心子公司的高层管理人员,前往位于忠清道(忠清南道)的温阳(Onyang)园区,推动一项针对高带宽内存(HBM)封装——即关键“后道”工艺——的新设施投资。此举彰显了三星在半导体领域的积极布局,也旨在有力回应外界对于所谓“人工智能(AI)泡沫”的担忧。

据业内人士11月5日透露,三星电子计划于下周在其位于忠清南道牙山市的温阳园区,为一座先进HBM封装工厂举行动工仪式。届时,李在镕会长将携多位核心高管出席,其中包括:三星电子设备解决方案(DS)部门负责人兼副会长全永铉(Jun Young-hyun)、三星电机(Samsung Electro-Mechanics)首席执行官张德贤(Chang Duck-hyun)、三星显示(Samsung Display)首席执行官李青(Lee Chung),以及三星SDI首席执行官崔周善(Choi Joo-sun)。
该新设施将专门用于先进HBM封装,坐落于现有的温阳园区内。项目投资额约为1.3万亿韩元(65亿元人民币),将建设一座面积达31,000平方米(约9,400坪)的洁净室,并计划于2029年5月正式投产。扩建完成后,温阳园区的总建筑面积将从目前的27万平方米增加至42万平方米。
温阳园区自1991年投入运营以来,一直作为半导体封装与测试基地,是三星电子关键的后道工艺枢纽。此次扩建有望加速该园区实现转型——从以通用半导体为主的基地,转变为先进HBM(高带宽内存)封装的核心中心。值得注意的是,此次扩建是政府“韩国实现跨越式发展的三大超级项目”中首个动工的项目。这标志着旨在将忠清地区打造为先进HBM(高带宽内存)封装枢纽的投资计划,已正式进入实施阶段。
在6月份的一次公开说明会上,李在镕表示:“我们将把投资集中在忠清地区(包括天安和温阳),用于建设HBM制造设施,并结合现有的半导体后道工序工厂进行布局。”
三星电子计划在中长期内向温阳园区总计投资46万亿韩元(2291亿元人民币),用于建立五条专门生产HBM的产线。
与此同时,三星管理团队还将出席“超级项目”的第四次进展评估会议(该会议与动工仪式在同一天举行),旨在评估各项举措的当前进展,并探讨未来的投资计划。

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