第九届中国国际进口博览会正如火如荼地举行,作为全球半导体产业链的核心环节,存储芯片备受瞩目,其前沿动态成为本届进博会的焦点之一。
本届进博会上,三星、SK海力士、美光三大全球存储巨头齐聚一堂,围绕AI浪潮下的技术演进、生态构建与商业化落地,集中展示了各自最新的产品矩阵与战略布局。
01
带宽暴涨45%!三星带着LPDDR6和UFS 5.0来“炸场”
作为连续九届参展的“全勤生”,三星本次展台以八大主题展区串联起医疗健康、音频体验、移动通信、半导体存储、显示技术、核心元器件、动力电池等不同产业领域。其中,半导体展区围绕Cloud AI、Edge AI、Foundry三大技术区域展开。三星展台还首次采用芯片造型进行一体化设计,将芯片内部技术逻辑进行可视化呈现。

图片来源:三星
在存储领域,三星展出了LPDDR5X-PIM、LPDDR6以及UFS 5.0相关产品。参数方面,LPDDR6传输带宽较上一代提升高达45%,最高支持125 GB/s;UFS 5.0则基于UniPro 3.0和M-PHY 6.0的下一代UFS标准打造,拥有高达10.8 GB/s的带宽,顺序读写速度达到上一代产品的2倍以上,与UFS 4.1相比,随机读取速度提升了5倍。
02
专为AI而生!SK海力士全场景矩阵覆盖服务器到终端
本届进博会上,以“人工智能”为主题,SK集团携旗下SK海力士、SK电讯等成员公司,集中展示覆盖AI硬件与软件的全栈解决方案,展现面向未来的AI技术愿景。
面对AI应用爆发式增长对存储容量、带宽与能效提出的更高要求,SK海力士在本届进博会上集中呈现了覆盖AI数据中心到PC、移动终端的全场景面向AI的存储器解决方案,体现出其作为全球领先面向AI的存储器企业的整合实力。

图片来源:SK海力士
在服务器DRAM领域,SK海力士围绕AI工作负载对更大容量、更高带宽和更高能效的需求,集中展示了多款高性能产品,包括面向大容量应用的256GB DDR5 RDIMM、具备高带宽性能的128GB DDR5 MRDIMM,以及采用全新形态设计、进一步提升能效与空间利用率的192GB SOCAMM2等产品。
企业级SSD(eSSD)方面,SK海力士展出了采用QLC NAND、实现大容量存储的PS1101 E3.S,以及采用第六代PCIe的PSF010 E1.S等产品,以多元化存储解决方案满足AI时代数据中心不断增长的应用需求。此外,SK海力士还带来了覆盖PC及移动终端的多款主力DRAM与NAND产品。从支撑AI训练与推理的服务器内存,到赋能端侧AI的移动存储方案,SK海力士以“服务器—数据中心—终端”的全场景产品矩阵,为AI时代千行百业的智能化升级提供支撑。
03
单盘容量达245TB!美光HBM4及高密度存储商业化提速
美光本次以“深耕存储领域,赋能数字中国”为主题亮相,展示了其在先进内存与存储技术、本土制造、人才培养及可持续发展等领域的实践成果。展台体验方面,美光首次引入VR沉浸式体验,让观众无需亲临工厂即可“走进”无尘车间,了解芯片制造过程;同时,展台采用了沿参观动线布局的互动式设计,并设有360°晶圆展示以及AI技术栈互动体验。

图片来源:美光
在具体的产品与商业化进程上,美光将重心放在了HBM与高密度存储领域。据披露,美光专为英伟达Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12H已于今年第一季度量产出货。
在SSD领域,9650作为其首款量产的PCIe Gen6固态硬盘备受关注;此外,6600 ION单盘容量已达245TB;而在低功耗服务器内存领域,专为下一代超大规模AI计算平台打造的192GB SOCAMM2也已步入量产阶段,全面展现了其在超大容量与前沿接口标准上的交付实力。
04
结语
从三星的终端生态串联、SK海力士的全场景AI存储矩阵,到美光在HBM及高密度存储上的商业化落地,三大存储巨头在2026年进博会上的同台竞技,清晰地折射出AI时代存储行业的发展脉络:高带宽、大容量、高能效以及对端侧与云端AI算力的全面支撑,正成为下一阶段存储技术演进的核心驱动力。
全球半导体观察
往期推荐



关于集邦咨询

TrendForce集邦咨询作为全球高科技产业研究机构,致力于洞察AI全链脉络,助力企业战略决策。研究版图聚焦AI产业增长引擎,涵盖:HBM、DRAM、NAND Flash等关键存储产品;GPU、ASIC等AI算力芯片;晶圆代工、芯片设计及封测;以及AI服务器、显示面板、LED、AR/VR等基础设施与终端,延伸至自动驾驶、具身智能、光伏储能、低空经济等“AI+”垂直产业集群,同时提供核心零部件价格预测与数据库。凭借多年深耕,为政企客户与投资者提供行业研究报告、企业战略咨询及品牌整合行销等服务。

