11月9日,英飞凌科技股份公司宣布,已在奥地利菲拉赫工厂成功将300 mm碳化硅(SiC)晶圆加工成功能性功率器件。英飞凌成为全球首家在全规模半导体制造环境中实现该工艺的企业。此次加工基于该工厂现有的硅半导体制造设备完成,无需新建专用产线。相较于目前主流的200 mm晶圆,300 mm晶圆的直径更大,单片晶圆可产出的芯片数量约为200 mm晶圆的2.3倍,有望提升生产效率并优化制造成本。在应用方面,碳化硅材料具备低损耗、高功率密度及耐高压高温等特性。英飞凌计划与客户及合作伙伴共同规划300 mm碳化硅技术的量产时机,同时继续推进现有的200 mm碳化硅制造路线图。此外,英飞凌在德国德累斯顿工厂验证了冷切割(Cold Split)技术在300 mm碳化硅晶圆上的可行性。相较于传统线锯切割工艺,冷切割技术从碳化硅晶锭分离晶圆时,能够减少材料损耗并缩短加工时间,从而以更低的资本支出从同一晶锭中获取更多晶圆。在半导体材料布局方面,英飞凌目前生产硅、碳化硅和氮化镓三种半导体产品。2026年10月27日,该公司宣布投资约11亿欧元在菲拉赫建设300 mm氮化镓(GaN)功率半导体量产基地。此次在碳化硅领域的技术进展,是其300 mm晶圆平台化思路在宽禁带半导体材料上的延伸。声明:本文由电子发烧友综合报道,转载请注明以上来源。如需入群交流,请添加微信elecfans999,投稿爆料采访需求,请发邮箱wuzipeng@elecfans.com。更多热点文章阅读点击关注 星标我们将我们设为星标,不错过每一次更新!喜欢就奖励一个“在看”吧!