狂砸超20万亿韩元！三星、SK海力士重金抢夺EUV光刻机

电子发烧友网综合报道随着AI算力需求的激增，全球存储芯片巨头正掀起新一轮扩产潮。然而，在先进DRAM制程的推进过程中，核心设备的供应瓶颈已成为行业焦点。

当前，韩国存储双雄三星电子与SK海力士正围绕ASML极紫外（EUV）光刻机展开激烈的“交付排期争夺战”，以确保下一代先进制程的顺利量产。

为支撑先进DRAM的产能扩张，两大巨头的投资规模空前。目前，双方的EUV设备采购投入均在10万亿至20万亿韩元区间。

SK海力士此前已披露了一项价值约11.95万亿韩元的采购计划，要求设备在2027年底前完成交付，以支持其向1c DRAM制程的过渡。

与此同时，三星电子正配合其平泽P5工厂的建设节奏推进设备下单。该工厂首座晶圆厂预计于2028年投产，第一阶段洁净室有望在2027年上半年完工，随后光刻设备将陆续进场安装。

先进制程对EUV设备的依赖程度正在显著加深。随着DRAM电路间距不断缩小，EUV技术成为突破物理极限的关键。

以SK海力士的1c DRAM为例，其计划将使用EUV的工艺层数从上一代的3层增加至5层以上。制程越先进，所需的曝光工时和机台数量越多，单条产线的设备需求同步攀升。

此外，两家公司均在准备采用更先进的高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术，三星更是计划在2028年将其导入DRAM量产，以抢占技术窗口。

尽管存储厂商重金投入，但EUV设备的供应瓶颈正持续发酵。ASML在最新财报中明确指出，即便2027年和2028年EUV产能分别提升30%，仍无法满足客户需求，供应短缺或延续至2028年。

受供给紧张影响，核心设备的交付周期已拉长至原先的两倍，部分客户甚至有意订购2029年乃至2030年的设备。

市场格局也在发生转变，EUV买家结构正从“逻辑晶圆厂一家独大”转向“逻辑+存储双支柱”。今年第三季度，存储器客户已占ASML整机销售额的46%。

设备紧缺的影响已从前道制造环节延伸至后端封装领域。随着AI数据中心对HBM（高带宽内存）需求的激增，先进封装产能同样面临考验。

包括韩美半导体、安靠（Amkor）在内的封装厂商，其订单积压已长达两到三年。用于HBM制造的热压（TC）键合机等关键设备需求大幅走扬，进一步加剧了供应链的紧张态势。

针对这一现象，行业机构指出，随着DRAM制程向10纳米级微缩，曝光工时与机台数量已成为产能爬坡的关键制约因素，制程越先进，单线对EUV设备的消耗便呈指数级攀升。

与此同时，也有专业人士认为，当前AI投资周期仍处上行阶段，需求正从算力芯片向存储、制造与设备端扩散，存储涨价与设备紧缺的态势有望延续至2027年。

不过，半导体产业也遵循着客观规律。尽管巨头们抛出了数百亿美元的天价投资计划，但大量资本开支实际上被用于建设高标准的厂房与洁净室。

真正的产能释放往往需要等待2至3年的周期，这也意味着当前的“抢机台”大战，本质上是在为未来的市场卡位。

在这场围绕EUV光刻机的争夺战中，三星与SK海力士的交付排期直接决定了先进DRAM的量产节奏。

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