

【编者按】
本篇选自SemiAnalysis的长文深度解析全球顶级半导体会议VLSI 2025的核心突破。面对制程微缩瓶颈,行业通过五大前沿路径破局:原子级数字孪生技术加速芯片设计;4F² DRAM架构突破1d节点物理极限;背板供电(BSPDN)重构芯片能效比;中国FlipFET设计挑战CFET集成难题;2D材料与3D堆叠重塑存储未来。文章结合英特尔18A成本分析、TSMC DRAM集成等实战案例,为从业者提供制程迭代与成本演进的决策地图,揭示后摩尔时代的技术竞争格局。欢迎感兴趣的读者转发与关注!











芯启未来,智创生态


