Wolfspeed推出第四代1200V车规级裸芯片碳化硅MOSFET

第四届功率半导体与先进封装测试创新高峰论坛

为促进功率半导体和先进封装领域的学术交流与产业合作，探讨最新技术进展、工艺优化及未来发展方向，无锡市集成电路学会和半导体在线将于2025年9月18日在无锡市组织召开第四届功率半导体与先进封装测试创新高峰论坛，欢迎参会、参展等合作。

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Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。

该系列产品采用无封装裸芯片设计，可灵活集成于各类定制模块中。凭借高阻断电压、低导通电阻、高速开关及低电容等卓越特性，该器件成为汽车动力总成系统与电机驱动应用的理想解决方案。

特性

• 车规级认证  

• 高阻断电压，行业领先的低导通电阻 RDS(on) 温度稳定性  

• 抗闩锁效应  

• 高栅极电阻，便于驱动  

• 高电容比  

优势

• 通过降低开关损耗和导通损耗提升系统效率

• 助力减小系统体积、减轻系统重量、减少冷却需求  

• 支持高开关频率工作

• 易于并联，兼容标准栅极驱动设计  

典型应用

• 汽车动力总成

• 电机驱动
  

• 固态断路器

• 谐振拓扑

关于该新产品系列的更多详细信息，敬请访问以下链接或点击阅读原文，

https://www.wolfspeed.com/products/power/sic-bare-die-mosfets/1200-v-automotive-qualified-bare-die-silicon-carbide-mosfets-gen-4/

关于 1200 V、9.6 mΩ、第四代 (Gen 4) 车规级裸芯片碳化硅 MOSFET EM4E120-032D10 的更多信息，敬请访问，

https://www.wolfspeed.com/products/power/sic-bare-die-mosfets/1200-v-automotive-qualified-bare-die-silicon-carbide-mosfets-gen-4/em4e120-032d10/

关于 1200 V、11.6 mΩ、第四代 (Gen 4) 车规级裸芯片碳化硅 MOSFET EM4E120-028D00 的更多信息，敬请访问，

https://www.wolfspeed.com/products/power/sic-bare-die-mosfets/1200-v-automotive-qualified-bare-die-silicon-carbide-mosfets-gen-4/em4e120-028d00/

关于1200 V、149 A、第四代 (Gen 4) 裸芯片碳化硅 MOSFET EM4E120-025D00 的更多信息，敬请访问，

https://www.wolfspeed.com/products/power/sic-bare-die-mosfets/1200-v-automotive-qualified-bare-die-silicon-carbide-mosfets-gen-4/em4e120-025d00/

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来源：wolfspeed

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