晶圆边缘轮廓与缺陷检测技术及装备

在原始晶圆生产中，切片的原始晶圆表面可能会有切割痕迹，而且由于其晶体结构，边缘非常脆弱。为了获得光亮的表面光洁度和平滑的晶片边缘，对晶圆边缘抛光尤其重要。抛光完毕后，测量晶圆外缘的几何形状并检测缺陷，可避免在后期阶段因碎裂甚至破损而造成的生产损失，直接提高产量。

晶圆的纯度、平整度、晶格结构等参数会直接影响芯片的电学性能、可靠性和良品率。市面上常规晶圆的厚度一般在400微米至1200微米，在实际制造过程中，切片、倒角、环切、减薄等工艺均需要严格的几何参数管控，自身晶相、机械作用、化学腐蚀、颗粒残留等情况的出现都可能让晶圆产生表面缺陷。

此外，晶圆并非完全的圆形，边缘会切割出平角（Flat）或缺口（Notch），以便于后续工序中的定位和晶向确定。而晶圆边缘轮廓测量水平与边缘轮廓平整度息息相关，据行业预测，2030年相关领域全球市场份额可达21.4亿美元。然而晶圆边缘轮廓测量一直以来是国内企业面临的一个难题：一方面，要测试整个晶圆边缘，就必须保持晶圆能被精准放置，并稳定转动；另一方面，测量系统需要实现自动对焦，确保晶圆边缘各个角度都能清晰成像。此外，扫片速度和准度、测量速度等也都十分讲究。

宁波兰辰光电有限公司从事的正是晶圆等材料边缘轮廓的非接触式高精度测量。公司成立于2016年，是一家专业自动化检测设备提供商。公司核心产品晶圆边缘轮廓仪多项功能属国内首创，可实现同类型产品进口替代，凭借自己研发的关键技术，其生产的边缘轮廓仪在多个尺寸、角度测量的重复精度均能达到0.002毫米，这套设备已成功获评浙江省首台（套）装备。

2025年8月21日，中国粉体网将在苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会。届时，来自宁波兰辰光电有限公司总经理兼技术总监俞宝清将带来《晶圆边缘轮廓与缺陷检测技术及装备》的报告。带你了解晶圆边缘缺陷问题的解决方案。

资讯配图

会议详情

中国粉体网将于2025年8月21日在江苏·苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开演讲交流。

时间

2025年8月21日

地点

苏州·白金汉爵大酒店（相城店）

主办单位

大会日程

会议主题

1、碳化硅半导体产业现状与展望
2、大尺寸SiC晶体生长技术难点及发展现状
3、SiC单晶生长用高纯碳化硅粉体的研究进展
4、碳化硅晶体生长装备关键部件应用进展
5、碳化硅衬底研磨抛光工艺及耗材技术
6、SiC/TaC涂层技术和应用
7、第三代半导体碳化硅的先进切割工艺
8、激光技术在碳化硅切割及划片上的应用
9、SiC衬底抛光技术研究
10、8英寸碳化硅外延材料生长核心工艺与关键装备
11、碳化硅衬底及外延缺陷检测技术
12、碳化硅晶片检测及清洗技术
13、SiC晶体加工关键设备及主要技术难点
14、晶圆切割设备市场现状及国产化进程

参会对象

· 高纯碳粉、硅粉、碳化硅粉末、坩埚、籽晶等材料企业；
· 晶锭、衬底、外延、晶圆等产品企业；
· 碳化硅晶体、外延生长等设备企业；
· 金刚石线切割、砂浆线切割、激光切割等切割设备企业；
· 碳化硅磨削、研磨、抛光和清洗及耗材等企业；
· 检测、退火、减薄、沉积、离子注入等其他设备企业；
· 高校、科研院所、行业机构等；

现场会议

大会邀请了半导体领域众多专家、学者及领头企业技术骨干，他们将带来最新的研究成果与独到见解，参会者可与其共同探讨先进技术如何应用和行业挑战如何应对等热点话题，旨在促进研产学深度融合，推动半导体行业快速发展和技术广泛应用。
听会费用：2800元/人，半导体企业1500/人
（费用包含会刊资料、茶歇、午餐、晚宴，不包含住宿费用）

展位展示

服务内容：
1、标准展桌一套（配2把座椅）
2、企业喷绘背景墙广告1个（宽：2m ，高：2.6m）
3、送2个现场听会名额
4、参展企业介绍一篇
展位费用：
分赞助展位与标准展位，详情请咨询会务组