近年来，印度半导体产业发展势头强劲，此前批准的6个项目已进入不同程度的实施阶段。近日，由印度总理纳伦德拉·莫迪主持的联邦内阁批准了印度半导体计划(Indian Semiconductor Mission，ISM)下的另外四个半导体项目。
据印度《Business Standard》报道，新批准的4个项目分别来自SiCSem、Continental Device India Private Limited(CDIL)、3D Glass Solutions Inc.(3DGS)和Advanced System in Package(ASIP)Technologies。
此次获批的半导体项目计划建设半导体制造工厂，累计投资额约460亿卢比，预计将创造2034名技术专业人员的就业岗位，这将促进电子制造业生态系统的发展，并创造大量间接就业机会。
具体来看，奥里萨邦将承办两个项目——SiCSem和3DGS，旁遮普邦将迎来CDIL的设施扩建，安得拉邦则将设立ASIP制造部门。
SiCSem将与英国Clas-SiC Wafer Fab Ltd合作，在奥里萨邦布巴内斯瓦尔信息谷(Info Valley)建立印度首个商业化化合物半导体晶圆厂，旨在生产碳化硅器件，规划年产能达6万片晶圆及9600万颗器件封装能力。生产的产品将应用于导弹、国防装备、电动汽车(EV)、铁路、快速充电器、数据中心机架、消费电器和太阳能逆变器。
3DGS亦将在奥里萨邦的布巴内斯瓦尔的信息谷(Info Valley)设立一个垂直整合的半导体先进封装和嵌入式玻璃基板生产基地，该基地将为印度带来世界领先的封装技术，包括集成无源元件及硅桥的玻璃中介层、3D异构集成（3DHI）模块等核心工艺。该基地规划年产能为：6.96万片玻璃面板基板、5000万件封装器件和1.32万个3DHI先进模块。这些产品将用于国防、人工智能、高性能计算、射频和汽车、光子学和共封装光学等领域。
ASIP将与韩国APACT株式会社合作，计划在安得拉邦建立半导体制造工厂，规划年产能达9600万件，用于手机、机顶盒、汽车和其他电子产品等领域。
CDIL将扩建其位于旁遮普邦莫哈里的分立器件半导体制造基地，拟生产高功率分立半导体器件，例如MOSFET、IGBT、肖特基二极管和晶体管，材料包括硅和碳化硅。扩建后的工厂年产能将达到1.5838亿件，为电动汽车、可再生能源、工业系统和电信基础设施提供支持。
随着4个半导体项目的获批，印度半导体制造技术（ISM）下获批半导体项目总数增至10个，覆盖6个邦，总价值约1.6万亿卢比。
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